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关于 SDIO 上拉电阻的接法

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seawwh|  楼主 | 2010-1-8 19:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
关于 SDIO 上拉电阻的接法
采用4Bit 模式工作的SDIO数据线上面接有上拉电阻。
1. 万利的EK-STM3210E 电路图上面接的10K 电阻5只
  分别对应:D0,D2,D3,CLK,CMD (没有D1)
2. ST的 STM3210E-LK同上;
3. ST的STM3210E-EVAL 电路图上面接的47K 电阻5只
  分别对应:D0,D1,D2,D3,CMD  (没有CLK)

ST 推荐什么样的接法呢?

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沙发
seawwh|  楼主 | 2010-1-11 17:26 | 只看该作者
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seawwh|  楼主 | 2010-1-14 09:31 | 只看该作者
请版主给出回答,谢谢!

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地板
IJK| | 2010-1-14 09:46 | 只看该作者
似乎两种接法都可以。印象里跟SD卡的初始化有点关系。
保险起见,你可以多加1个上拉电阻。

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5
seawwh|  楼主 | 2010-1-17 09:43 | 只看该作者
为何版主还没有给出回答?  在等。

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6
aozima| | 2010-1-17 11:34 | 只看该作者
本帖最后由 aozima 于 2010-1-17 11:36 编辑

这和ST的推荐无关
而是SD卡的规范.

推荐用10-47K的.(凭**的,不做保证,请自行查证)

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7
xwj| | 2010-1-17 11:37 | 只看该作者
当然是6根线全加上。

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8
司徒老鹰| | 2010-1-17 22:41 | 只看该作者
版主的很权威啊

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9
emc78ic| | 2010-1-21 17:30 | 只看该作者
:)回答的很干脆

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10
sinadz| | 2010-1-21 18:32 | 只看该作者
看来楼主比较相信版主

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11
香水城| | 2010-1-22 11:01 | 只看该作者
6楼说得对,这个问题看看SD卡的规格书中怎么说的就好了。

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12
seawwh|  楼主 | 2010-1-23 10:58 | 只看该作者
下面的技术文件,没有提及接电阻的问题,请6,11楼给与指导。谢谢!

SD Specifications
Part 1
Physical Layer
Simplified Specification
Version 2.00

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13
cgha| | 2010-1-23 12:47 | 只看该作者
本帖最后由 cgha 于 2010-1-23 12:48 编辑

sd card product manual revision 2.2 第3.4.3章节下面有表格描述
另外st 的sdio 4bit方式无**常读取的问题是否解决了。

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14
cgha| | 2010-1-23 12:51 | 只看该作者
我顶他个肺,屏蔽90%的汉字我照样能把xxx轰下台:curse:

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15
seawwh|  楼主 | 2010-1-23 13:22 | 只看该作者
谢谢 13楼提供的资料,这个资料的全名是什么呢?

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16
IJK| | 2010-1-25 10:44 | 只看该作者
查了一下资料,在最早的SD卡规范V1.0里面就有了13L那样的表格。另外,查了MMC卡V3.31的资料,关于上拉电阻的规定也差不多,也是在CMD和DAT线上面要求接上拉电阻。由于SD卡源于MMC,且MMC是免费、公开的,建议LZ查查MMC的规范。

另外,我在网上搜索了一下,看到的基本上都是在CMD和4条DAT线接上拉电阻的。所以,建议还是跟SD卡的规范,即跟ST的STM3210E-EVAL 电路图保持一致更好点。

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17
qqatscau| | 2012-8-27 14:53 | 只看该作者
MARK

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18
jlwg| | 2013-3-7 17:04 | 只看该作者
加上拉电阻的目的是防止总线浮动,stm32的sdio在内部设置成推挽复用输出模式,相当于比强上拉还强的上拉,根本不会出现总线浮动问题,所以也就根本不需要外部上拉电阻了。

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19
jlwg| | 2013-6-6 12:08 | 只看该作者
jlwg 发表于 2013-3-7 17:04
加上拉电阻的目的是防止总线浮动,stm32的sdio在内部设置成推挽复用输出模式,相当于比强上拉还强的上拉, ...

实际使用时,没有上拉电阻,也正常。
但是考虑sd卡的数字信号是双向的,输出时,是推挽输出,这在没有上拉电阻的时候是完全没问题的。但是当输入的时候,管脚是浮动输入,这时没有上拉电阻,就会有问题。但是实际使用时,我没有用上拉电阻,也正常使用。

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20
lu0718| | 2013-6-6 15:28 | 只看该作者
有总比没有的好吗?

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