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[技术讨论]

世界级难题：可控硅击穿问题，请高手进来

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楼主: tianjianz
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21楼
Siderlee| | 2012-8-20 17:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
I^2T

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22楼
光晔秋秋| | 2012-8-31 11:09 | 只看该作者
1.应该是电压冲击，你的可控硅VDRM有没有市电的1-2倍，如果没有可能损坏
2.可控硅带动感性负载的话，可以在串联一个几MH的电感，减小DU/DT  DI/DT的。
3，过零启动

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23楼
holddreamair| | 2012-9-24 17:09 | 只看该作者
15# xuyiyi 你好！加开机程序延时的好处是什么呀？

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24楼
zhang_2000| | 2012-9-24 20:50 | 只看该作者
D1   IN4007  换成HER107
Q1,Q2  基极加个100K以上的下拉电阻
试一试

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25楼
holddreamair| | 2012-9-24 22:39 | 只看该作者
可控硅带容性负载会击穿吗？我带了60KVAR电容就击穿了。。。

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