【转】基于stm32f103zet6之nor flash的学习

只看该作者 · 2016-11-11 20:49

有时候，我们需要保存少量数据，但是用外扩的ROM又觉得不方便，这时候自然就想到了芯片内部是否自带flash（闪存），据我了解，stm32内部的应该是nor flash，因为如果是nand flash的话，肯定速度是跟不上的。不过如果是想看关于存储器的区别，建议参考这个博文http://blog.csdn.net/king_bingge/article/details/8742708。

一、这次主要总结的就是关于如何实现对stm32内部flash的读写

1、根据以往学习msp430的经验，本能的以为对stm32的内部flash的操作也是有地址范围限制的，比如说430那块片子就限制我们，用户可以操作的flash是A、B两个区各128个字节，通过查阅资料，发现stm32不是这样的，毕竟是高级的芯片。只要是非程序空间，也就是我们下载程序的时候没有用到的那些空间，我们都是可以对那部分的nand flash进行操作的，这样一来我们可以存储的数据就打了，爽到了吧！不过不用高兴的太早，nor可是非常宝贵的，如果程序比较大，还是建议用外扩的ROM吧！

2、其实那本stm32的flash中文手册对我们的如何进行flash的变成方法已经介绍的很清楚了，这里

二、好了到这里为止就开始贴代码了，然后慢慢分析！

[csharp] view plain copy
print?

<span style="font-size:12px;">#include "stm32f10x.h"
#include "stdio.h"
u16 data[2]={0x0001,0x0002};
int Flash_Test(void)
{
u32 count=0;
RCC_HSICmd(ENABLE); //保证内部高速晶振开启
FLASH_Unlock(); //打开写保护
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR); //清除标志位
FLASH_ErasePage(0x8002000); //擦除的地址空间，一定要先擦除
while(count < 2)
{
//flash 为一个字节存储，16位数据必须地址加2
FLASH_ProgramHalfWord((0x8002000 +count*2),data[count]);
count++;
}
FLASH_Lock(); //关闭写保护
count = 0;
printf("\r\n The Five Data Is : \r\n");
while(count < 2)
{
printf("\r %d \r",*(u8 *)(0x8002000 + count*2)); //读取方法
count++;
}
}
</span>

这个代码用来测是没有任何问题的，然后下面转载的是对flash读写的具体分析，本人觉得分析的很好，所以就直接拿来用了，谢谢！

1．解除Flash锁

复位后，闪存编程/擦除控制器（FPEC）模块是被保护的，不能写入 FLASH_CR 寄存器；通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR寄存器可以打开FPEC模块，这个特定的序列是在 FLASH_KEYR 寄存器写入两个键值 (KEY1和KEY2)；错误的操作序列都会在下次复位前锁死FPEC模块和FLASH_CR 寄存器。

其中KEY1为0x45670123，KEY2为0xCDEF89AB，编程如下：
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;

2．页擦除
在FLASH操作中，最小擦除单位为一页，不能一个字节一个字节的擦除，其实所谓的擦除就是将指定的位置填写成0XFF，下面是页擦除的过程：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作；
-用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页；
-设置FLASH_CR寄存器的PER位为1；
-设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1；
-等待BSY位变为0；
-读出被擦除的页并做验证。

编程如下：
  //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
  status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

  if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行页擦除操作
  {
FLASH->CR|= CR_PER_Set; //设置FLASH_CR寄存器的PER位为1
FLASH->AR = Page_Address;  //用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页
FLASH->CR|= CR_STRT_Set;  //设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1

//等待擦除操作完毕(等待BSY位变为0)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY为0
{
   //如果擦除操作完成，禁止CR的PER位
   FLASH->CR &= CR_PER_Reset;
}
  }

3. 全部擦除
全部擦除就是将全部FLASH都填写成0xFF，其过程如下：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作；
-设置FLASH_CR寄存器的MER位为1；
-设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1；
-等待BSY位变为0；
-读出所有页并做验证。
编程如下：
//等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
  status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

  if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH出于可以操作状态，开始进行全部页擦除操作
  {
   FLASH->CR |= CR_MER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的MER位为1
   FLASH->CR |= CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1

//等待全部页擦除操作完毕(等待BSY位变为0)
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

if(status != FLASH_BUSY)//如果SR的BSY为0
{
   //如果擦除操作完成，禁止CR的PER位
   FLASH->CR &= CR_MER_Reset;
}
  }

只看该作者 · 2016-11-11 20:51

4. 编程
编程就是将数据写入指定的FLASH地址，STM32的FLASH每次编程都是16位（在32位系统中，我们叫做半字），过程如下：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作；
-设置FLASH_CR寄存器的PG位为1；
-写入要编程的半字到指定的地址；
-等待BSY位变为0；
-读出写入的地址并验证数据。
  编程如下：
//检查参数是否正确
  assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));

  //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
  status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

  if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行编程操作
  {
FLASH->CR |= CR_PG_Set;//设置FLASH_CR寄存器的PG位为1
*(vu16*)Address = Data;//写入要编程的半字到指定的地址
//等待半字编程操作完毕(等待BSY位变为0)
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

if(status != FLASH_BUSY)
{
   //如果半字编程完毕，禁止PG位
   FLASH->CR &= CR_PG_Reset;
}
  }

6. 选择字节编程
选择字节的编程就是向上面讲到的选择字节里面写入指定的数据，其过程如下：
-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作；
-解除FLASH_CR寄存器的OPTWRE位；
-设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1；
-写入要编程的半字到指定的地址；
-等待BSY位变为0；
-读出写入的地址并验证数据。
编程过程如下：
//等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
  status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

  if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行编程操作
  {
//解锁 CR寄存器中的OPTWRE位
FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;

FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set;//设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1
*(vu16*)Address = Data;//写入要编程的半字到指定的地址

//等待半字编程操作完毕(等待BSY位变为0)
status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

if(status != FLASH_BUSY)
{
   //如果半字编程完毕，禁止OPTPG位
   FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
}
  }

7．STM32的代码保护
通过选择字节的设置，可以实现代码的读保护和写保护，在上面6中讲到的，RDP和WRP分别是读保护和写保护，将RDP设置指定的数值，可以实现代码的读保护，也就是不允许任何设备读取FLASH里面的应用代码，将WRP里设置指定的数值，可以实现代码的写保护，不允许任何设备改写FLASH里面的应用代码。其中设置读保护的代码如下：
//等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
  status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

  if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行指定操作
  {
//解锁 CR寄存器中的OPTWRE位
FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;
//擦除整个选择字节区域
FLASH->CR |= CR_OPTER_Set;
FLASH->CR |= CR_STRT_Set;

//等待擦除操作完毕
status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

if(status == FLASH_COMPLETE)//如果擦除操作完毕
{
   //禁止OPTER位
   FLASH->CR &= CR_OPTER_Reset;

   //使能选择字节编程操作
   FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set;

   if(NewState != DISABLE)//禁止读出操作
   {
      OB->RDP = 0x00;
   }
   else//使能读出操作
   {
      OB->RDP = RDP_Key;
   }

   //等待写入完毕
   status = FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout);

   if(status != FLASH_BUSY)
   {
      //写入操作完毕，禁止OPTPG位
      FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
   }
}
写保护代码如下：
//等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位)
  status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);

  if(status == FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行编程操作
  {
//解锁 CR寄存器中的OPTWRE位
FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->OPTKEYR = FLASH_KEY2;
//设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1
FLASH->CR |= CR_OPTPG_Set;

if(WRP0_Data != 0xFF)//如果不是全部不写保护
{
   OB->WRP0 = WRP0_Data;//写入WRP0

   //等待写入操作完毕
   status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
}
if((status == FLASH_COMPLETE) && (WRP1_Data != 0xFF))
{
   OB->WRP1 = WRP1_Data;

   //等待写入操作完毕
   status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
}

if((status == FLASH_COMPLETE) && (WRP2_Data != 0xFF))
{
   OB->WRP2 = WRP2_Data;

   //等待写入操作完毕
   status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
}

if((status == FLASH_COMPLETE)&& (WRP3_Data != 0xFF))
{
   OB->WRP3 = WRP3_Data;

   //等待写入操作完毕
   status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
}

if(status != FLASH_BUSY)
{
   //如果编程操作完毕，禁止OPTPG位
   FLASH->CR &= CR_OPTPG_Reset;
}
  }