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肖特基钳位晶体管

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楼主: hbsimon
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好帖,必须支持一下!

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zyj9490| | 2016-12-1 18:06 | 只看该作者
hbsimon 发表于 2016-12-1 15:17
还有个问题要请教一下你,这个spi信号SDI、CS、SCKL是单片机经过隔离芯片出来到从芯片的,我觉得可以直接 ...

加一个反相器,对于高速信号而言,也便宜,用BJT 上拉的方式不足取。只能针对低速。

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zyj9490| | 2016-12-1 18:08 | 只看该作者
hbsimon 发表于 2016-12-1 15:17
还有个问题要请教一下你,这个spi信号SDI、CS、SCKL是单片机经过隔离芯片出来到从芯片的,我觉得可以直接 ...

如果是低速信号,只不过降成本而已,如果高速信号,是一个败设计。

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hbsimon|  楼主 | 2016-12-1 18:26 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2016-12-1 18:06
加一个反相器,对于高速信号而言,也便宜,用BJT 上拉的方式不足取。只能针对低速。 ...

我觉得目的应该不是做反相,因为不作反相软件也很容易识能别出来

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zyj9490| | 2016-12-1 18:29 | 只看该作者
hbsimon 发表于 2016-12-1 18:26
我觉得目的应该不是做反相,因为不作反相软件也很容易识能别出来

如果SPI的全部都做了反相,有理由是为电压转换。如果不是,就是反相而已。

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zyj9490| | 2016-12-1 18:31 | 只看该作者
这要跟隔离器的输入输出的逻辑关糸而定。

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hbsimon|  楼主 | 2016-12-1 18:33 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2016-12-1 18:29
如果SPI的全部都做了反相,有理由是为电压转换。如果不是,就是反相而已。 ...

搞不懂啦,因为我试过直接连也是可以通信的,而且用自己画的PCB和软件测试过,都可行,不知道了。。。可能光测试不能发现潜在的问题吧

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linqing171| | 2016-12-1 19:38 | 只看该作者
隔离芯片反向了? 这里再反向一次?

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hbsimon|  楼主 | 2017-1-5 09:23 | 只看该作者
linqing171 发表于 2016-11-28 21:40
今天仔细看了楼主的图。
确实大家说的是对的,就是为了关闭速度。
由于这个是单管驱动,而不是上下管驱动, ...

你好,今天对该电路做了一下测试,遇到了些问题,想请教一下你。对SPI信号加一串幅值为5V,宽度200uS的脉冲输入,在输出端可测得一个倒相的脉冲信号,如图1所示;但如果SPI加一个基准电平5V,下拉0V,宽度200uS的脉冲输入时,在输出端测不到输出,即三极管一直处于闭合状态,如图2所示。不知道什么原因?

QQ图片20170105091530.png (18.89 KB )

图1

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QQ图片20170105092409.png (17.66 KB )

图2

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hbsimon|  楼主 | 2017-1-5 09:26 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2016-12-1 18:08
如果是低速信号,只不过降成本而已,如果高速信号,是一个败设计。

你好,今天对该电路做了一下测试,遇到了些问题,想请教一下你。对SPI信号加一串幅值为5V,宽度200uS的脉冲输入,在输出端可测得一个倒相的脉冲信号,如图1所示;但如果SPI加一个基准电平5V,下拉0V,宽度200uS的脉冲输入时,在输出端测不到输出,即三极管一直处于闭合状态,如图2所示。不知道什么原因?

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图1

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图2

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zyj9490| | 2017-1-5 10:20 | 只看该作者
hbsimon 发表于 2016-12-1 18:33
搞不懂啦,因为我试过直接连也是可以通信的,而且用自己画的PCB和软件测试过,都可行,不知道了。。。可 ...

上拉电阻太大,来不及充电。且低电平宽度太小。上拉换成510欧,绝对可以。

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hbsimon|  楼主 | 2017-1-5 14:29 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2017-1-5 10:20
上拉电阻太大,来不及充电。且低电平宽度太小。上拉换成510欧,绝对可以。 ...

经过测试,将33K换成510Ω的就行了,非常感谢!不过偶尔还是会丢一个脉冲。你能不能详细解释一下为什么上拉电阻太大就不行吗,我不太明白。

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hbsimon|  楼主 | 2017-1-5 14:43 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2017-1-5 10:20
上拉电阻太大,来不及充电。且低电平宽度太小。上拉换成510欧,绝对可以。 ...

是不是三极管集电极和基极之间存在结电容,当SPI脉冲下降沿来时,电容C经过电阻RB充电,基极电压下降,但是电容还没来得及充好电,脉冲就结束了,导致三极管无法关断,可以这么理解吗?

QQ图片20170105144039.png (27.27 KB )

QQ图片20170105144039.png

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zyj9490| | 2017-1-5 14:55 | 只看该作者
本帖最后由 zyj9490 于 2017-1-5 15:03 编辑
hbsimon 发表于 2017-1-5 14:43
是不是三极管集电极和基极之间存在结电容,当SPI脉冲下降沿来时,电容C经过电阻RB充电,基极电压下降,但 ...

是的,或者是长线电容和负载电容导致的。还有BJT不要过包和运行,过包和,会产生纯延迟。上拉电阻为510欧时,基极电流近似于0.25MA,B=50算,可以调试即好是0.4V VCE.

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ridgepole| | 2017-1-5 17:26 | 只看该作者
hbsimon 发表于 2017-1-5 16:59
谢谢你的仿真,我之前也看见过类似的做法(第三种肖特基钳位晶体管),这里有个贴可看看,讲得很详细了ht ...


重新设置仿真,这种方式在频率低时是可以正常工作对关断速度有提升。我仿真假定SPI时钟频率为1M,这时肖特基的结电容就影响很大了。忽略电容的影响让电路仿真正常波形输出,但提速效果还是比不上第二种。

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timeless888888| | 2019-7-13 10:31 | 只看该作者
刚刚学到 这里先码一下,后面再看

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zyj9490| | 2019-7-13 12:09 | 只看该作者
第一张图是为了不要过度包和,不要进入深度包和。第二张图是为了快速放电,当低电平时,短路掉4.7k 电阻,这样,导通时的RC ,与载住时的RC是不一样的,慢导通,快载住。

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tianxj01| | 2019-7-13 15:34 | 只看该作者
下图不是箝位,箝位的根本不应该这么放置,这个目的是在SPI驱动端处于低电平时候,有略微的加速能力,可以抽取饱和的5551的基区电荷,实现饱和-关断的加速。不过,这样的用法,还不如并联一个合适小电容效果来得好。没有性价比。

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R2D2| | 2019-7-27 21:34 | 只看该作者
完全没有道理。

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