看着不错，转来了。
学了两周的ARM9，感觉还是很难入门，再加上这个暑假找到了一个stm32的实习岗位，不得又回到了stm32的学习上，其中学习ARM9之前的STM32 FSMC部分学的很蛋疼，但学了ARM9之后搞清了SRAM SDRAM NOR NAND之间的区别，很多问题就迎刃而解了。
控制LCD由以下几部分：
1.打开FSMC时钟
RCC->AHBENR|=1<<8;
2.初始化FSMC用到的IO口
RCC->APB2ENR|=3<<5;
GPIOD->CRL&=0xff00ff00;
GPIOD->CRL|=0x00bb00bb; //RD=PD4 WR=PD5
GPIOD->CRH&=0x00fff000;
GPIOD->CRH|=0xbb000bbb;
GPIOD->ODR|=3<<0;
GPIOD->ODR|=7<<8;
GPIOD->ODR|=3<<14;
GPIOE->CRL&=0x0fffffff;
GPIOE->CRL|=0xb0000000;
GPIOE->CRH&=0x00000000;
GPIOE->CRH|=0xbbbbbbbb;
GPIOE->ODR|=1<<7;
GPIOE->ODR|=0xff<<8;
RCC->APB2ENR|=1<<8;
GPIOG->CRL&=0xfffffff0;
GPIOG->CRL|=0x0000000b;//RS=PG0
GPIOG->CRH&=0xfff0ffff;
GPIOG->CRH|=0x000b0000;//CS=PG12
3.FSMC初始化
//寄存器清零
//bank1有NE1~4,每一个有一个BCR+TCR，所以总共八个寄存器。
//这里我们使用NE4 ，也就对应BTCR[6],[7]。
FSMC_Bank1->BTCR[6]=0X00000000;
FSMC_Bank1->BTCR[7]=0X00000000;
FSMC_Bank1E->BWTR[6]=0X00000000;
//操作BCR寄存器 使用异步模式
FSMC_Bank1->BTCR[6]|=1<<12; //存储器写使能
FSMC_Bank1->BTCR[6]|=1<<14; //读写使用不同的时序
FSMC_Bank1->BTCR[6]|=1<<4; //存储器数据宽度为16bit
//操作BTR寄存器
//读时序控制寄存器
FSMC_Bank1->BTCR[7]|=0<<28; //模式A
FSMC_Bank1->BTCR[7]|=1<<0; //地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 1/36M=27ns
//因为液晶驱动IC的读数据的时候，速度不能太快，尤其对1289这个IC。
FSMC_Bank1->BTCR[7]|=0XF<<8; //数据保存时间为16个HCLK
//写时序控制寄存器
FSMC_Bank1E->BWTR[6]|=0<<28; //模式A
FSMC_Bank1E->BWTR[6]|=0<<0; //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK
//4个HCLK（HCLK=72M）因为液晶驱动IC的写信号脉宽，最少也得50ns。72M/4=24M=55ns
FSMC_Bank1E->BWTR[6]|=3<<8; //数据保存时间为4个HCLK
//使能BANK1,区域4
FSMC_Bank1->BTCR[6]|=1<<0; //使能BANK1，区域4
4.调用NT35310的初始化函数（代码量太大就不粘贴了）
然后就是根据数据手册进行LCD的操作了，因为LCD是16位的所以内部的第11位连接外面的PA10，所以
#define lcd_wr_r 0x6c000000 //写命令 第11位为0
#define lcd_wr_d 0x6c000800 //写数据 第11位为1
void LCD_WR_REG(u16 command)
{
*(u16*)(lcd_wr_r)=command;
}
void LCD_WR_DATA(u16 data)
{
*(u16*)(lcd_wr_d)=data;
}
void lcd_wr_cmd(u16 command,u16 data)
{
*(u16*)(lcd_wr_r)=command;
*(u16*)(lcd_wr_d)=data;
}
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