430FR单片机写FRAM锁死

发表于 2017-1-24 07:14

fengm 发表于 2017-1-23 22:53
读写fram的时候需要使能吗？

不需要，能直接读写，所以地址千万别写错了，否则，后果很严重

发表于 2017-1-24 08:42

qq4988 发表于 2017-1-24 07:14
不需要，能直接读写，所以地址千万别写错了，否则，后果很严重

一般不要随便定地址，尽量使用info 存储区

发表于 2017-1-26 10:52

有没有flash的存储锁

发表于 2017-1-28 17:39

单步调试都不存在问题吗？

发表于 2017-1-28 17:41

DATA的数据地址重复了吗

发表于 2017-1-29 20:04

重新复位电路

发表于 2017-1-29 22:10

FRAM 受辐射或软错误的影响?

发表于 2017-1-29 22:10

程序里写错地址了吗？

发表于 2017-1-30 18:15

这个没怎注意的，，也诶遇到过的

发表于 2017-1-30 22:04

在字节写入模式时,一个字节的数据先被锁存

发表于 2017-1-30 22:07

是熔丝位锁死？

发表于 2017-2-5 21:55

FRAM只是存储怎么能够锁死呢

发表于 2017-2-5 21:56

看一下你的工程文件，看看我这的FR的处理能够跑通吗

发表于 2017-2-6 08:05

wengh2016 发表于 2017-2-5 21:56
看一下你的工程文件，看看我这的FR的处理能够跑通吗

问题已经解决了，是地址写错了，写到了0XFF80那里，这里是JTAG仿真的标识位

发表于 2017-2-6 21:23

qq4988 发表于 2017-2-6 08:05
问题已经解决了，是地址写错了，写到了0XFF80那里，这里是JTAG仿真的标识位 ...

0XFF80手册能够查到吗

发表于 2017-2-6 21:25

所有访问的地址查询都在手册中吗？

发表于 2017-2-7 16:11

soodesyt 发表于 2017-2-6 21:23
0XFF80手册能够查到吗

可以查到，开始没仔细看

发表于 2017-2-8 22:28

楼主用的哪款芯片？

发表于 2017-2-8 22:29

铁电存储写入机制不一样吗？

发表于 2017-2-9 22:10

如果是数据一致，就不存在读写问题。