假定下列数据手册对应 LZ 实际用的 MOS 管：
http://www.kexin.com.cn/pdf/KI2301T.PDF
此 MOS 的开启电压为 -0.45V 到 -1.1V。
因此 MOS 管导通时，Vgs 绝对值要远超过 1.1V。
取电池电压的 1/2，即 (3.7, 4.2)V / 2 = (1.85, 2.10)V 。
MOS 管截止时，Vgs 绝对值要远小于 0.45V。
取电池电压的 1/20，即 (3.7, 4.2)V / 20 = (0.185, 0.210)V 。
这是 9013 的数据手册：
http://pdf1.alldatasheetcn.com/d ... 678/WINGS/9013.html
三极管截止时，CE 间漏电流最大可有 0.1uA。
因此导通电流要远大于 0.1uA。取 100 倍为 10uA 。
考虑到环境温度变化可能比较大，再提高 10 倍到 1000 倍，即 100uA。
这时可计算集电极（栅源）电阻 R22 为：
(1.85, 2.10)V / 100uA = (18.5, 21.0) KOhm，取 20 KOhm 。
假设三极管截止时，CE 间漏电流有离谱的 10uA，
此时栅源电压为 0.2V，应该仍能有效地关断 MOS 管。
原电路中的 R21 可以考虑取消（如果要用，建议并联在三极管的 BE 结上）。
三极管最小电流放大倍数为 40 。因此基极电流至少为 100uA / 40 = 2.5uA
假设单片机用稳定的 3V 供电，输出高电平电压为 80% × 3V = 2.4V 以上。
则基极电阻不能超过 2.4V / 2.5uA = 960 KOhm。取其一半为 470 KOhm.
对照正确的 MOS 管和三极管数据手册，
用上面的计算方法，LZ 可以检查下原设计是否正确。
电路工作不正常时，检查的关键地方就是 R22 上的压降。
如果压降正常，则是 MOS 管的问题；
如果压降异常，则测试三极管部分的电路，找出原因。
PS. 按上述计算，此电路的功耗估计为 0.1mA × 4V = 0.4mW 。 |
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