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RWW特性允许用户在执行程序和读程序存储器时对DATA EEPROM区域进行写操作，因此执行的时间被优化了。相反的操作是不允许的：即你不可以在写程序存储器时对DATA EEPROM进行读操作。
RWW特性是一直有效的而且可以在任意时刻使用。注意：并不是所有STM8都拥有RWW特性，请参考相应的数据手册来了解更多信息。字节编程 可以对主程序存储器和DATA区域逐字节地编程。要对一个字节编程，应用程序可直接向目标地址写入数据。 - 在主程序存储器中
当字节编程操作执行时，应用程序停止运行。 - 在DATA区域中
- 有RWW功能的器件：在IAP模式下，应用程序不停止运行，字节编程利用RWW功能进行操作。
- 无RWW功能的器件：当字节编程操作执行时，应用程序停止运行。
要擦除一个字节，向对应的字节简单写入'0x00'即可。
应用程序可以通过读FLASH_IAPSR寄存器来校验编程或擦除操作是否已被正确执行：
- 在一次成功的编程操作后EOP位被置1。
- 当软件试图对一个被保护的页进行写操作时WP_PG_DIS位被置1。在这种情况下，写操作不会被执行。
如果FLASH_CR1中的IE位已经被预先使能，则只要这些标志位(EOP/WP_PG_DIS)中有一个被置位就会产生一个中断。
STM8自动快速字节编程,根据目标地址的初始化内容的不同，编程持续时间可能也有所不同。如果字(4个字节)中包含不为空的字节，编程前字会被自动擦除。相反，如果字节为空，由于不会执行擦除操作从而编程时间变短。然而，可以通过对FLASH_CR1中的FIX位置1来强迫执行系统擦除操作而不管其内容是否为空，从而使编程时间固定(请参考FLASH控制寄存器)。编程总时间随之被规定为擦除时间和写操作时间的和（请参考tPROG参数，在数据手册的"Flash program memory"表中）。
注意：为了快速写一个字节(没有擦除操作)，将要被写入数据的整个字(4个字节)必须被预先擦除。因此不可能对同一个字做连续两次快速写操作(在第二次写之前没有擦除操作)：第一次写字节操作将是快速操作但针对另外一个字节的第二次写操作将需要一个擦除操作。
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