MOS关断下降沿慢

只看该作者 · 2017-5-8 15:41

楼主威武，强烈支持……

只看该作者 · 2018-11-28 09:33

本帖最后由 seupenn 于 2018-11-28 09:35 编辑

青柠_ 发表于 2017-5-4 11:11
1.首先承认个错误，表述不清楚，本想说明波形下降沿不够陡峭，有延迟迟缓，老师特别仔细，讲解了波形延迟 ...

在漏极对地加一个1K的电阻就可以解决你波形下降沿缓慢的问题吗？？还是把栅极对源极之间的电阻改成1K的？

只看该作者 · 2018-11-28 09:38

king5555 发表于 2017-5-4 09:34

大神，请问一下在漏极和地之间加一个电阻是给MOSFET关断泄放用的？还是给MOSFET后面的负载泄放用的？？感谢！！

只看该作者 · 2018-11-28 11:35

maychang 发表于 2017-5-4 10:33
首帖波形下降沿不够陡峭，原因是门极电容充电和放电电流不同。
我们知道，MOS管门极对源极具有一定电容。 ...

老师，目前遇到一个类似的问题，第一版用的NCV8406这个MOS管，负载是加热带，出来波形很好，第二版外围器件都没变的情况下，换了AOSD626662E双通道MOS芯片，出来明显振铃现象和下降沿缓慢，用的是专用的隔离MOS驱动芯片，MOS管驱动电压是10V，换了这个双通道MOS芯片后，10V的DCDC电源电路中电感有明显的吱吱声，和PWM频率一致。这个是为什么？？就是MOS选型不同，影响的那么大。如果不改回原来的MOS管，如何解决当下的问题。谢谢！！在线等

3万 · 2018-11-28 12:13

seupenn 发表于 2018-11-28 11:35
老师，目前遇到一个类似的问题，第一版用的NCV8406这个MOS管，负载是加热带，出来波形很好，第二版外围器 ...

没有见到具体电路，也没有相关元器件和芯片的资料，没办法说“如果不改回原来的MOS管，如何解决当下的问题”。
吱吱声和PWM频率一致？你的PWM频率是多少？

只看该作者 · 2018-11-28 12:17

king5555 发表于 2017-5-4 09:34

那就是说R11与MOS管泄放速度没有关系？？
老师，目前遇到一个类似的问题，第一版用的NCV8406这个MOS管，负载是加热带，出来波形很好，第二版外围器件都没变的情况下，换了AOSD626662E双通道MOS芯片，出来明显振铃现象和下降沿缓慢，用的是专用的隔离MOS驱动芯片，试过将Rg电阻调大一点，上升沿振铃基本上没有了，但是下降沿还是缓慢，也将G和S极之间泄放电阻从10K调到1K，还是没有改善。不知道这两个MOS芯片内部到底有什么差异，目前这样如何改善？
还有一个问题，MOS管驱动电压是10V，换了这个双通道MOS芯片后，10V的DCDC电源电路中电感有明显的吱吱声，和PWM频率一致。这个是为什么？？

只看该作者 · 2018-11-28 12:24

本帖最后由 seupenn 于 2018-11-28 12:26 编辑

maychang 发表于 2018-11-28 12:13
没有见到具体电路，也没有相关元器件和芯片的资料，没办法说“如果不改回原来的MOS管，如何解决当下的问 ...

第一次传图片，不知道能不能看到，PWM频率目前在25Khz，因为如果频率低在人耳能听到的频率，就会听到明显声音。但是用之前的NCV8406就不会有这样的现象。
试过将Rg电阻调大一点，上升沿振铃基本上没有了，但是下降沿还是缓慢，也将G和S极之间泄放电阻从10K调到1K，还是没有改善。主要不清楚这两种MOS芯片内部的什么差异导致的？

3万 · 2018-11-28 12:59

seupenn 发表于 2018-11-28 12:24
第一次传图片，不知道能不能看到，PWM频率目前在25Khz，因为如果频率低在人耳能听到的频率，就会听到明显 ...

25kHz的声音，人耳听不到。能够听到，就不是PWM频率。

3万 · 2018-11-28 13:04

seupenn 发表于 2018-11-28 12:24
第一次传图片，不知道能不能看到，PWM频率目前在25Khz，因为如果频率低在人耳能听到的频率，就会听到明显 ...

此图有点怪。
HEAT1和HEAT6之间，接的是什么东西？猜测是个初级有中心抽头的变压器，变压器次级接负载(27楼说是加热带)。如果是这样，那么CtrlHeat1和CtrlHeat6两个输入信号应该是相位相差180度且带有死区的PWM信号。

3万 · 2018-11-28 13:04

seupenn 发表于 2018-11-28 12:24
第一次传图片，不知道能不能看到，PWM频率目前在25Khz，因为如果频率低在人耳能听到的频率，就会听到明显 ...

你使用的两种MOS管datasheet文件贴出来看看。

只看该作者 · 2018-11-28 13:13

本帖最后由 seupenn 于 2018-11-28 13:17 编辑

maychang 发表于 2018-11-28 13:04
此图有点怪。
HEAT1和HEAT6之间，接的是什么东西？猜测是个初级有中心抽头的变压器，变压器次级接负载(27 ...

额。。您说的是L3和L4吧，这个是用来做LC滤波的，怕高频谐波分量对外面干扰。用NCV8406的话，即使加了LC滤波波形也很完美，换了这个AOSD以后，加LC滤波的话，振铃会更明显，所以现在都是直接用R10和R17 0欧姆电阻短接了，HEAT1和HEAT6后面接的就是纯阻抗的加热带。我用的单独两路PWM控制，彼此之间没有什么关系。

只看该作者 · 2018-11-28 13:14

maychang 发表于 2018-11-28 13:04
你使用的两种MOS管datasheet文件贴出来看看。

谢谢老师！

3万 · 2018-11-28 15:30

seupenn 发表于 2018-11-28 13:13
额。。您说的是L3和L4吧，这个是用来做LC滤波的，怕高频谐波分量对外面干扰。用NCV8406的话，即使加了LC滤 ...

我不是说L3和L4，是说HEAT1和HEAT6。
如果HEAT1和HEAT6接的是纯电阻性的加热带，那么28楼图不能控制加热带发热功率。

3万 · 2018-11-28 15:30

seupenn 发表于 2018-11-28 13:13
额。。您说的是L3和L4吧，这个是用来做LC滤波的，怕高频谐波分量对外面干扰。用NCV8406的话，即使加了LC滤 ...

我不是说L3和L4，是说HEAT1和HEAT6。
如果HEAT1和HEAT6接的是纯电阻性的加热带，那么28楼图不能控制加热带发热功率。

3万 · 2018-11-28 15:56

seupenn 发表于 2018-11-28 13:13
额。。您说的是L3和L4吧，这个是用来做LC滤波的，怕高频谐波分量对外面干扰。用NCV8406的话，即使加了LC滤 ...

如果28楼图正确无误，那么U6中无论是上面的还是下面的任一MOS管导通，加热带中都没有电流——接于HEAT1和HEAT6处的加热带相当于一端接地(导通道MOS管)，另一端悬空(另一端的MOS管关断)，没有电压作用在加热带上。
所以28楼图恐有错误。

只看该作者 · 2018-11-28 17:25

maychang 发表于 2018-11-28 15:56
如果28楼图正确无误，那么U6中无论是上面的还是下面的任一MOS管导通，加热带中都没有电流——接于HEAT1和 ...

老师，电路图不太全，HEAT1和HEAT6分别接的是两根加热带，加热带一端接的是HEAT1或者HEAT6，另一端接的是+48V。

只看该作者 · 2018-11-28 17:30

king5555 发表于 2017-5-4 09:34

“AOS的tf很小，易出现振铃，改用D1的逆恢復时间更小，或者D1并联电阻或RC吸收。”

D1现在用的肖特基二极管，要改用逆恢复时间更快的吗？还是直接将D1和LC滤波电路都去掉？谢谢！

只看该作者 · 2018-11-28 17:34

king5555 发表于 2017-5-4 09:34

为什么AOSD的tf比NCV小那么多，反而MOS关断时间变缓了？这个不太理解。

3万 · 2018-11-28 17:43

seupenn 发表于 2018-11-28 17:25
老师，电路图不太全，HEAT1和HEAT6分别接的是两根加热带，加热带一端接的是HEAT1或者HEAT6，另一端接的是 ...

“HEAT1和HEAT6分别接的是两根加热带，加热带一端接的是HEAT1或者HEAT6，另一端接的是+48V”
这就对了。
你的两根加热带，是28楼图中U6上下两个MOS管分别独立控制的。

只看该作者 · 2018-11-29 09:50

king5555 发表于 2017-5-4 09:34

从输出波形来看是MOS管从关断到导通过程中有振铃，通过加大Rg，消除了，MOS管从导通到关断过程比较缓，如下图所示。测的是+48V对HEAT1之间的信号。