关于抑制干扰的问题

发表于 2010-5-18 15:33

抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt，di/dt。这是抗干扰设计中最优先考虑和最重要
的原则。减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。减小干扰源的 di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。
我想问的是，将电容加在干扰源两端，是不是相当于du/dt很高时，电容端的容抗很小使得检测端接收到得电压减少，从而减少干扰。
希望哪位大侠能讲的再详细点！！！
谢谢！！！

发表于 2010-5-18 15:35

还有就是旁路电容大小如何确定？

发表于 2010-5-18 15:48

所谓减低 du/dt 和 di/dt 其实就是消减信号的高次谐波，原则上就是采用滤波的方法来实现。表面上看好像采用了电容或电感，但实际上容感都是非理想的，内有插入损耗。如果无损，高次谐波还会反射，最终可能还会跑出来。

对于有用的高频信号，降低高次谐波通常是不可取的，这样会带来频带损失和失真。合理的布线和匹配是防止高频信号串扰的有效方法。

发表于 2010-5-18 15:52

根据公式算。。。。
了解下电容和电感的特性就了解了
电容特性就是两端电压不能突变
电感特性就是流过的电流不能突变
这个突变就是du/dt或di/dt
至于具体的能限制到什么程度有对应得公式的

发表于 2010-5-18 15:54

还有就是旁路电容大小如何确定？
skky2010 发表于 2010-5-18 15:35

旁路电容只是个功能叫法，具体参数的选择取决于具体应用。

发表于 2010-5-18 16:05

恩，听着是这么回事，受教了

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