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关于抑制干扰的问题

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楼主
skky2010|  楼主 | 2010-5-18 15:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt,di/dt。这是抗干扰设计中最优 先考虑和最重要
的原则。 减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。减小干扰源的 di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。
我想问的是,将电容加在干扰源两端,是不是相当于du/dt很高时,电容端的容抗很小使得检测端接收到得电压减少,从而减少干扰。
希望哪位大侠能讲的再详细点!!!
谢谢!!!

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沙发
skky2010|  楼主 | 2010-5-18 15:35 | 只看该作者
还有就是旁路电容大小如何确定?

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板凳
HWM| | 2010-5-18 15:48 | 只看该作者
所谓减低 du/dt 和 di/dt 其实就是消减信号的高次谐波,原则上就是采用滤波的方法来实现。表面上看好像采用了电容或电感,但实际上容感都是非理想的,内有插入损耗。如果无损,高次谐波还会反射,最终可能还会跑出来。

对于有用的高频信号,降低高次谐波通常是不可取的,这样会带来频带损失和失真。合理的布线和匹配是防止高频信号串扰的有效方法。

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地板
yytdragon| | 2010-5-18 15:52 | 只看该作者
根据公式算。。。。
了解下电容和电感的特性就了解了
电容特性就是两端电压不能突变
电感特性就是流过的电流不能突变
这个突变就是du/dt或di/dt
至于具体的能限制到什么程度有对应得公式的

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HWM| | 2010-5-18 15:54 | 只看该作者
还有就是旁路电容大小如何确定?
skky2010 发表于 2010-5-18 15:35

旁路电容只是个功能叫法,具体参数的选择取决于具体应用。

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skky2010|  楼主 | 2010-5-18 16:05 | 只看该作者
恩,听着是这么回事,受教了

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