关于正激变换器的绕组复位

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 楼主| wangyuren 发表于 2008-11-15 10:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
iC921 发表于 2008-11-15 19:43 | 显示全部楼层

听课来了

  
maychang 发表于 2008-11-16 11:13 | 显示全部楼层

第二个图好像是错误的

如果两个绕组匝数相同,则二极管负端总与电源正端等电位。
qczq 发表于 2008-11-16 12:31 | 显示全部楼层

尽信书则不如无书

  
 楼主| wangyuren 发表于 2008-11-16 21:12 | 显示全部楼层

回3楼

  如果"N"和"ND"的匝数相同,磁芯将无法复位。
 楼主| wangyuren 发表于 2008-11-16 21:16 | 显示全部楼层

回4搂

  尝试分析一下磁复位电流的流向——做的好可以不需要主动开关的吸收电路——在一款国产工业电源(看PCB上的标示推断是5年前的设计)里发现的。<br />
 楼主| wangyuren 发表于 2008-11-16 21:22 | 显示全部楼层

无电流复位

  个人理解:复位电流通过“N”和“ND”互感相互抵消。
 楼主| wangyuren 发表于 2008-11-20 08:58 | 显示全部楼层

回2楼

  知识是探索出来的,请秀出你的观点。
PowerAnts 发表于 2008-11-20 11:05 | 显示全部楼层

这有点意思

S导通时,ND产生互感电流1对D的结电容充电,S在截止过程中,由于S的电流不是忽然为零,加上S的输出电容作用,D结电容上的电荷通过ND向S放电产生电流2,同时N产生互感电流3,由于线路阻抗较低,这两个电流都比较大,且电流方向与励磁电流相反,故可促进磁芯迅速复位。<br /><br />由于常规设计中,初级漏感通常都不会太小,励磁电流可达到工作电流的5%甚至更大,那么想要利用D的结电荷的放电产生逆向磁通来进行复位,这个结电容要比较大才行,现实中的二极管好像不太可能。<br /><br />那么,是否原机变压器进行了工艺上的改进,最大限度地减小了初级漏感,小到只需要二极管结电容的电荷便可以可靠复位呢?就算是,那么可以认为初级漏感的能量是很小的,就没有必要再去搞什么无损吸收了。<br /><br />看来,需要拿到原机进行剖析才有结论。
PowerAnts 发表于 2008-11-20 11:08 | 显示全部楼层

整个图供参考

PowerAnts 发表于 2008-11-20 11:13 | 显示全部楼层

主贴方式1是传统的复位绕组接法

根据传统教科书的建议,单端正激的复位绕组通常都与初级绕组匝数相等,这有利也有弊。好处是S关闭时,复位绕组以略高于VCC的自感电动势对电源辞放漏感的励磁能量,复位时间较短,缺点是S将承受高达二倍VCC的反峰电压,实际上,由于初级绕组与复位绕组间的漏感仍不为零,故S承受的反峰电压比2倍VCC还略高些,其中还叠加了初级引线环路面积形成的分布电感所引起的过冲。<br /><br />实践证明,增加复位绕组的匝数,可适当降低S承受的反峰电压,从而减小S的关断损耗。但在有色金属价格高涨的今天,这是不经济的,并且S导通时,D承受的反压也高许多,开关损耗也随之加大。此消彼涨,得不偿失。<br /><br />现在,有许多优秀的磁通复位电路,如LCD无损吸收、有源钳位、双管交错等,都相当不错。
 楼主| wangyuren 发表于 2008-11-23 21:18 | 显示全部楼层

回9楼10楼

多谢回复:<br />  要考虑现实中的各种因素并模拟真实过程很难,不妨先进行理想模型分析——开关S、二极管D、电源VCC、电容C都是理想元器件,S开通期间励磁电流通过N由a点流向VCC,S关断期间,励磁电流2(蓝色线)通过ND由b点流向a点,其在N中产生的感生电流方向与互感电流3(绿色线)的方向相反,亦即两电流在a点相消(励磁电流与互感电流相抵消在a点产生0电流,即用感生电场复位磁场)。
 楼主| wangyuren 发表于 2008-11-23 21:29 | 显示全部楼层

回11楼

  如果方式1和方式2都是依靠D的导通完成复位动作,那么如果N和ND的匝数相同,方式2中的N和ND具有相同的电动势——要求a、VCC两点有相同的电位!如果D是理想器件(正向压降0V),那么VCC的电压也是0V!现实中可能的情况是VCC电压等于D的VF?
PowerAnts 发表于 2008-11-24 14:57 | 显示全部楼层

S承受的电压应力不小啊

  
 楼主| wangyuren 发表于 2008-11-25 20:57 | 显示全部楼层

回15楼

 楼主| wangyuren 发表于 2008-11-26 11:43 | 显示全部楼层

回17楼

  ND匝数比N的少也没关系,那样D的电压应力会更小,不过要求S必须是双向可关断的器件,比如说晶闸管(可控硅)。
PowerAnts 发表于 2008-11-26 11:51 | 显示全部楼层

你这样想不对

“如果ND匝数比N少,则S用双向可关断开关”<br /><br />ND产生的互感电流流过S及D?那是不可能的,你不可能要求S只流过ND的互感电流,而阻断N本身的电流,这两个电流对S来说,方向是相同的<br /><br />我认为是ND产生比较高的<font color=#FF4040>互</font>感电动势,在抵销N的自感电动势后,通过D向VCC反向注入能量,从而在N中产生反向的电流,强制去磁。<br /><br />你认为呢?不妨把你的想法说出来
PowerAnts 发表于 2008-11-27 13:34 | 显示全部楼层

还是不对,我也弄错了

若是靠这个逆向电流去磁的话,ND与N的电流相同,ND的安匝数则大于N的安匝数,合成磁通还是与原磁通方向相同。看来还是靠ND产生Vn+Vcc+0.7V的互感电动势,以较高的电势辞放漏磁通储存的能量。<br />感觉电压应力跟前者相同,但要多耗铜,窗口面积一定的情况,不利于绕线。
 楼主| wangyuren 发表于 2008-12-2 20:59 | 显示全部楼层

a点不是零电流

  按20楼的时序分析,方式2在复位开始时不能实现零电流,而且复位感生电流有拉低复位电压的趋势!
大忽悠 发表于 2008-12-4 00:26 | 显示全部楼层

ND与N的电流不同,因为还有次级绕组。

  
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