发新帖我要提问
12
返回列表
打印

镜像电流源电路的疑惑

[复制链接]
楼主: jack_shine
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
21楼
SmartEnergy| | 2010-8-3 16:19 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
不奇怪的。
1. 饱和时候，还Vce<Vcb呢。
2. T0可是电流放大，或者说电流分配而已。

使用特权

评论回复 赏
22楼
jack_shine|  楼主 | 2010-8-13 10:20 | 只看该作者
21# SmartEnergy :)

使用特权

评论回复 赏
23楼
soyoso| | 2010-8-16 16:02 | 只看该作者
这个也费解？基极和集电极短接，也就是Vg=Vd，也就是Vgs=Vds。放大太的前提，Vgs-Vth《=Vds，显然成立。

使用特权

评论回复 赏
24楼
bbyeah| | 2010-8-17 04:31 | 只看该作者
23# soyoso
你给的这是MOS管的模型...

使用特权

评论回复 赏
25楼
jack_shine|  楼主 | 2010-8-24 10:11 | 只看该作者
大家积极的发言呀:)

使用特权

评论回复 赏
26楼
spig20| | 2010-8-29 19:42 | 只看该作者
T0应该是工作在临界饱和状态

使用特权

评论回复 赏
27楼
kongliuer| | 2010-8-30 14:26 | 只看该作者
T0是工作在临界饱和状态。在理解上可以认为是当二极管来使用。

使用特权

评论回复 赏
28楼
jack_shine|  楼主 | 2010-9-10 13:53 | 只看该作者
还有高手有独到的见解吗？

使用特权

评论回复 赏
29楼
liulongyi| | 2010-9-10 16:28 | 只看该作者
应该三极管结构有关吧，
发射结加了正向电压，大量的电子越过发射结进入基区，基区很薄，参杂浓度也低，所以只有一小部分被复合，集电结两边电压相等，没有偏置，但是基区电子浓度高，集电区面积大，所以大部分电子还是会扩散到集电区形成集极电流
是这样吗？

使用特权

评论回复 赏
30楼
jack_shine|  楼主 | 2010-9-13 09:43 | 只看该作者
30# liulongyi
这位低调的小哥积分虽然不高，但观点和俺不谋而合，赞一个:lol

使用特权

评论回复 赏
31楼
sheepyang| | 2010-9-17 16:23 | 只看该作者
确实和三极管的结构及界面浓度相关。
发射极的浓度较高，同时BE正向压降导致在BE界面的基区有电子聚集，在BC由于电压为0或反偏，在 BC界面处基本没有电子或浓度很低，这样就形成了一个扩散电流，由浓度高往浓度低的扩散(化学势？)。很显然如果BC正偏的话(C电压低，在BC界面处有大量电子的话，那这个扩散电流化学势就很小了，基本没有扩散电流了。所以Ib
会增大来进行复合。另外29楼说的浓度低的提法欠妥，实际上在正常的放大状态，少子(电子)的浓度还是比基区掺杂浓度低不少的。之所以电子能跑过去是因为电子在基区有个扩散长电，不是一进入基区就被复合掉。

使用特权

评论回复 赏
32楼
jack_shine|  楼主 | 2010-9-25 12:50 | 只看该作者
:)

使用特权

评论回复 赏
33楼
shiyan1532| | 2013-2-26 08:41 | 只看该作者
jack_shine 发表于 2010-6-8 11:36
为何这么多人查看，却很少人回复呀？

因为很多人和楼主有同样的疑惑

使用特权

评论回复 赏
34楼
shiyan1532| | 2013-2-26 08:43 | 只看该作者
BadWolf 发表于 2010-6-8 12:31
这是一个很典型的电路。LZ为什么说T0处于放大状态？此管子是处于饱和状态！B和C的电压相等，处与饱和导通状 ...

记得模电上说VCQ=VBQ
是放大与饱和的临界状态 但是属于放大状态

使用特权

评论回复 赏
35楼
chenkaibsw| | 2013-8-2 19:15 | 只看该作者
没有大神帮解释下吗？我真的挺困惑

使用特权

评论回复 赏
36楼
ybhsu2010| | 2013-8-8 15:34 | 只看该作者
换个思路，BJT工作在饱和区的时候，也是有一定的直流放大作用的，只是放大倍数下降，B/C短接，BJT实际上处于临界饱和的状态，此时的放大倍数与工作在放大区的放大倍数基本一致。BJT中的镜像电流源实际上由于有基极电流的存在，还是有一定的误差的，因此有的设计还价格一个驱动BJT，以便减小基极电流的影响。

使用特权

评论回复 赏
37楼
chengang_jxx| | 2013-8-23 12:22 | 只看该作者
Vb等于Vc时，还没有完全进入饱和，临界于放大和饱和之间。所以bate值也大约不会下降太多。

使用特权

评论回复 赏
38楼
沙河小菜鸟| | 2013-8-28 12:31 | 只看该作者
我是学微电子技术的，可以从专业的角度帮你解释一下，首先，我们说的放大倍数B是定义的发射结正偏，集电节零偏。其次，T0管的Uceo近似等于Ubeo，所以管子不会处于饱和状态，楼主基本概念还不是很清楚啊

使用特权

评论回复 赏
39楼
love100_xy| | 2013-8-30 15:07 | 只看该作者
应该是处在饱和和放大的临界状态，故可以采用放大状态才回有的公式。就是在饱和状态的话，载流子扩散的话也会形成I才，采用公示可能是好理解吧！

使用特权

评论回复 赏
40楼
sdsd_823| | 2016-12-16 08:09 | 只看该作者
T1管处于放大状态无疑

使用特权

评论回复 赏
12
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则