三极管发射极电阻RE的直流压降问题

只看该作者 · 2010-6-7 08:42

本帖最后由电子菜鸟435 于 2010-6-7 08:44 编辑

在《晶体管电路设计》上册的21页，有句话说：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化，而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上。”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压降必须在1V以上呢？
不是基极偏置电压VB>0.6（假设VBE=0.6）+1/2输入信号的峰峰值,就可以了吗？假设温度减少60℃，VBE就增加了0.15V，那么：
基极偏置电压VB>0.75+1/2输入信号的峰峰值，所以RE的直流压降只要在0.15+1/2输入信号的峰峰值以上不就可以了吗？这样理解有错吗？为什么书上说“稳定RE的直流压降必须在1V以上”呢？

3万 · 2010-6-7 14:29

此电压越大，温度稳定性越好，温度变化时三极管静态工作点(集电极电流)变化越小。
此电压需要多大，是由对集电极静态电流的稳定程度决定的。对集电极静态电流稳定性要求低，此电压可以取得小一些，要求高当然就应该取得大一些。
此电压值受电源电压限制，此电压值取得大，三极管工作的动态范围将减小。所以作为前置放大时，因工作于小信号状态，此电压可以大些也无妨，但功率级就会受到较大影响，所以功率级往往牺牲一些稳定性来换取较大的输出功率。

只看该作者 · 2010-6-7 16:38

本帖最后由电子菜鸟435 于 2010-6-8 09:34 编辑

2# maychang
谢谢。
可不可以这样理解：
温度升高40℃，VBE减小0.1V（2.5mV*40）为了让温度变化不对静态工作点有太大影响，所以RE上的压降最好是1V以上。1V是0.1V的10倍，这样温度变化引起的IC变化就可以“忽略”了。