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N76E003 APROM 数据闪存作为EEPROM使用

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楼主: 734774645
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21楼
yjgna| | 2018-3-16 11:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
北辰极界 发表于 2018-3-16 09:06
每次写一个数据就要擦一整页  其实主要还是对这个不怎么理解  以前没有接触过用Flash作为EEPROM  他到底 ...

Flash的主要操作是擦除（将所有位置1）和编程（将1变为0）。
擦除是按页的，新唐这个003一页是128字节。也就是说最小擦除单位为128字节。
比如我需要保存8字节数据，占用的Flash空间为1页。 当需要写入数据时，要先擦除，再编程。如果该页已经保存了数据，只修改部分数据时，应该把已有数据保存到RAM（可以用数组），修改RAM数据，然后擦除和编程。

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22楼
yiyigirl2014| | 2018-3-20 17:53 | 只看该作者
可以把多余的空间搞出来存储数据

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23楼
gaxc2005| | 2018-3-22 22:15 | 只看该作者
如何知道哪些地址可以用？

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24楼
Rain_King| | 2018-5-11 22:17 | 只看该作者
734774645 发表于 2018-2-10 17:27
是的，不擦除也可以直接覆盖。

必须擦除。。。否则，会存在问题，举例子，擦除呢，就是复位，把所有变为1.。。写入呢，只能变为0，但是，无法变为1.。。换句话说就是，如果原先保存的位有0，如果覆盖写入的时候，变为1，是没办法的，变为1，只能够是擦除。。。不知道你明白了没，如果覆盖可以，那何必要有擦除动作。。。

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veizn 2018-6-8 11:12 回复TA
其实可以把一整页都写完数据了，再一次性擦除，就可以了 
25楼
734774645|  楼主 | 2018-5-13 20:59 | 只看该作者
Rain_King 发表于 2018-5-11 22:17
必须擦除。。。否则，会存在问题，举例子，擦除呢，就是复位，把所有变为1.。。写入呢，只能变为0，但是 ...

言之有理，多谢。

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26楼
21mengnan| | 2018-5-25 23:28 | 只看该作者
看了大家的回复，比楼主搞的玩意儿有意思多了，谢谢。

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27楼
yiyigirl2014| | 2018-8-13 11:05 | 只看该作者
如果封装成一个函数就爽了。

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28楼
mfc4143| | 2018-8-13 15:13 | 只看该作者
chhm8chhm 发表于 2017-12-11 18:29
N76E003 APROM 数据闪存作为EEPROM使用。这个便程我用源码仿真出来，写入的数据读出后都是00.是怎么回事？ ...

我也是，您解决了吗

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29楼
数传无线| | 2019-4-12 13:29 | 只看该作者
一直想用这个功能但不至于为了省一片AT24C02的，主要是为了省那可怜的两个IO啊

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