N76E003 APROM 数据闪存作为EEPROM使用

发表于 2018-3-16 11:36

北辰极界发表于 2018-3-16 09:06
每次写一个数据就要擦一整页其实主要还是对这个不怎么理解以前没有接触过用Flash作为EEPROM 他到底 ...

Flash的主要操作是擦除（将所有位置1）和编程（将1变为0）。
擦除是按页的，新唐这个003一页是128字节。也就是说最小擦除单位为128字节。
比如我需要保存8字节数据，占用的Flash空间为1页。当需要写入数据时，要先擦除，再编程。如果该页已经保存了数据，只修改部分数据时，应该把已有数据保存到RAM（可以用数组），修改RAM数据，然后擦除和编程。

发表于 2018-3-20 17:53

可以把多余的空间搞出来存储数据

发表于 2018-3-22 22:15

如何知道哪些地址可以用？

发表于 2018-5-11 22:17

734774645 发表于 2018-2-10 17:27
是的，不擦除也可以直接覆盖。

必须擦除。。。否则，会存在问题，举例子，擦除呢，就是复位，把所有变为1.。。写入呢，只能变为0，但是，无法变为1.。。换句话说就是，如果原先保存的位有0，如果覆盖写入的时候，变为1，是没办法的，变为1，只能够是擦除。。。不知道你明白了没，如果覆盖可以，那何必要有擦除动作。。。

发表于 2018-5-13 20:59

Rain_King 发表于 2018-5-11 22:17
必须擦除。。。否则，会存在问题，举例子，擦除呢，就是复位，把所有变为1.。。写入呢，只能变为0，但是 ...

言之有理，多谢。

发表于 2018-5-25 23:28

看了大家的回复，比楼主搞的玩意儿有意思多了，谢谢。

发表于 2018-8-13 11:05

如果封装成一个函数就爽了。

发表于 2018-8-13 15:13

chhm8chhm 发表于 2017-12-11 18:29
N76E003 APROM 数据闪存作为EEPROM使用。这个便程我用源码仿真出来，写入的数据读出后都是00.是怎么回事？ ...

我也是，您解决了吗

发表于 2019-4-12 13:29

一直想用这个功能但不至于为了省一片AT24C02的，主要是为了省那可怜的两个IO啊

[DemoCode下载] N76E003 APROM 数据闪存作为EEPROM使用

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