KF8F4156 汇编和c混合编程示意

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 * 函数名     ：FLASH_WRITE_FUN

 * 函数功能：按块或按页写入数据到FLASH，个数参数只能为16,32 ，地址必须为块的首地址 如十六进制下结尾00 20 40 60 80 A0 C0 E0

 *                         如果地址不是页的首地址，必须确定后续块结果为0xFFFF，或前面操作过块首写，使后续块值被0xFFFF，否则写结果异常。

 * 入口参数：待写地址，待写地址的数据

 * 返回          ：无

 * 写时间说明：除去代码，以整页FLASH为例，操作完第一块需要6ms，另外3块需要3ms。即第一块执行整页的擦除后写自身块，其他块直接写。

 **********************************************************************************/

void FLASH_WRITE_FUN(unsigned int address,unsigned char length)

{

#if 1             //  1时效率比0小   1 使用传递参数   0 按编译器全嵌汇编实现，但编译提示参数未使用，可以忽略

        //; 参数的使用

        NVMADDRH=(unsigned char) (address>>8);

        NVMADDRL=address;



        __asm

        ;//备份中断使能寄存器

                BANKSEL _INTCTL

                MOV                R1,_INTCTL

        ;//关闭中断，操作不可打断

                CLR                _INTCTL,_PUIE

                CLR                _INTCTL,_AIE

                JNB                _INTCTL,_AIE

                JMP                $-2

        ;//时钟频率备份及降频操作,建议降频到1M,此时中断已被关

                MOV                R0,#0x30

                MOV                R2,_OSCCTL

                MOV                _OSCCTL,R0

        ;//读取结果的存放起始RAM地址，即数组缓存区  FLASH_BUFFER[x]

                MOV                R3,#_FLASH_BUFFER

        __endasm;



        while(length--)                // 仅使用R0，不改变R1

        {

                __asm



                ;//加载待写数据

                BANKSEL _FLASH_BUFFER

                LD                R6,[R3]

                INC                R3

                LD                R7,[R3]

                INC                R3

                BANKSEL _NVMDATAH

                MOV _NVMDATAH,R7

                MOV _NVMDATAL,R6

                ;//硬件写

                MOV         R5 ,#0x84

                MOV         _NVMCTL0,R5

                MOV         R5,#0x69

                MOV         _NVMCTL1,R5

                MOV         R5,#0x96

                MOV         _NVMCTL1,R5

                SET         _NVMCTL0 , 1        ;// 写存在高压，高压还原添加空指令确保后续运行正常

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ                                                ;// 建议10条，至少2条

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

                NOPZ

                MOV         R5,#0X80

                MOV         _NVMCTL0,R5

                ;//指向下一操作地址，这里不考虑高位，特性要求只能操作一页内的数据，不能跨页

                BANKSEL _NVMADDRL

                INC                _NVMADDRL

                __endasm;

        }



        __asm

                ;//时钟与中断使能的还原

                BANKSEL _OSCCTL

                MOV                _OSCCTL,R2

                AND         R1,#0xC0        ;//中断使能仅关系高2位

                ORL         _INTCTL,R1

        __endasm;

#else

        // 参数1的传递使用  编译器自动变量 STK00  和 R0 ，其中R0为高位

        // 参数2的传递使用  编译器自动变量 STK01

        // 整体实现的嵌汇编会提示参数未被使用，可以忽略

__asm

        ;//传递操作的地址(块首)

        BANKSEL _NVMADDRH

        MOV                _NVMADDRH,R0

        BANKSEL STK00

        MOV                R0,STK00

        BANKSEL _NVMADDRL

        MOV                _NVMADDRL,R0

        ;//备份中断使能寄存器

        BANKSEL        _INTCTL

        MOV                R1,_INTCTL

        ;//关闭中断，操作不可打断

        CLR                _INTCTL,_PUIE

        CLR                _INTCTL,_AIE

        JNB                _INTCTL,_AIE

        JMP                $-2

        ;//时钟频率备份及降频操作,建议降频到1M,此时中断已被关

        MOV                R0,#0x30

        MOV                R2,_OSCCTL

        MOV                _OSCCTL,R0

        ;//待写数据的存放起始RAM地址，即数组缓存区  FLASH_BUFFER[x]

        MOV                R0,#_FLASH_BUFFER



FALSH_WRITE_PAGE_LOOP:

        ;//加载待写数据

        BANKSEL _FLASH_BUFFER

        LD                R6,[R0]

        INC                R0

        LD                R7,[R0]

        INC                R0



        BANKSEL _NVMDATAH

        MOV _NVMDATAH,R7

        MOV _NVMDATAL,R6



        ;//硬件写

        MOV         R5 ,#0x84

        MOV         _NVMCTL0,R5

        MOV         R5,#0x69

        MOV         _NVMCTL1,R5

        MOV         R5,#0x96

        MOV         _NVMCTL1,R5

        SET         _NVMCTL0 , 1        ;// 写存在高压，高压还原添加空指令确保后续运行正常

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ                                                ;// 建议10条，至少2条

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ

        NOPZ

        MOV         R5,#0X80

        MOV         _NVMCTL0,R5

        ;//指向下一操作地址，这里不考虑高位，特性要求只能操作一页内的数据，不能跨页

        BANKSEL _NVMADDRL

        INC                _NVMADDRL



        BANKSEL STK01

        DECJZ        STK01

        JMP                FALSH_WRITE_PAGE_LOOP



        ;//时钟与中断使能的还原

        BANKSEL _OSCCTL

        MOV                _OSCCTL,R2

        AND         R1,#0xC0        ;//中断使能仅关系高2位

        ORL         _INTCTL,R1

__endasm;

#endif

}