0 三极管放大原理讲解的新切入点(转贴) - 第2页 - 新手园地 - 21ic电子技术开发论坛
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三极管放大原理讲解的新切入点(转贴)

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楼主: ghost1325
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ghost1325|  楼主 | 2010-9-25 08:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
饱和压降的问题确实不好理解,发射极都有0.7v了,为什么集电极到地的路径经过发射极反而可以低于0.7?我最近看了一些半导体理论方面的书想找答案,但公式太多,看的我也晕头转向

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ghost1325|  楼主 | 2010-9-25 08:48 | 只看该作者
期待大虾们用生动形象的语言释惑

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HWM| | 2010-9-25 10:06 | 只看该作者
关于半导体器件“原理解释”的三个层次:

1)等效模型——目前《电子电路》中的基本方法。采用受控电源(通常是电流源),并辅助以一定的理想阻容元件,构成一个等效电路。然后采用《电路分析》的方法分析含半导体器件的电子电路。这是一个实用有效的方法。

2)晶体模型——这是个形象化的“演义”模型,诸如电子,空穴,扩散,漂移等概念具有形象的特征,比较容易理解。因此,通常一般的《电子电路》教材都愿意采用此模型。但其不是个严格定量分析的模型,只能定性或粗略的分析器件的物理机制,故称为“演义”模型。

3)能带理论——这是固态电子学的基本理论。它是半导体物理的基础,自然也是定量分析半导体器件的基础。要理解能带理论,必须通读《量子力学》,至少得明白何为费米子和泡利不相容原理。否则根本就不能理解计算能级,能带和费米能级等,自然就无法理解利用能带理论对半导体器件的物理解释。

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ghost1325|  楼主 | 2010-9-25 10:23 | 只看该作者
:lol楼上是大虾,前两个模型都好理解,但不能深入解释一些三极管的现像
不知道能带理论能不能非公式化定性地讲一讲

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Renxuelushang| | 2010-10-10 21:04 | 只看该作者
妙!~~

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pjy| | 2010-10-10 21:44 | 只看该作者
本帖最后由 pjy 于 2010-10-10 21:46 编辑

818对三级管放大的理解:
1、内因.....三条,自己看书
2、外因:发射结正偏,为啥?集电节反偏,为啥?
如下:发射极发射的电子或者空穴最终是要被集电区收集的,关键是,从发射极跑到集电极的多数载流子的身份和浓度发生了几次变化,A\当基级和发射极之间的(信号或者交流)电压发生变化的时候,会引起发射结的耗尽层的宽度发生改变,电压增加,耗尽层变窄,有更多的发射区的多数载流子扩散跑到基区,身份转变为少数载流子,但是实际浓度其实远远大于基区的多数载流子,B\然后由于集电节反偏,促进基区少数载流子(浓度很高)的漂移到集电区,不难理解,从发射区扩散然后漂移到集电区的大量的载流子形成了变化规律和基级信号电压规律相同的更大的电流的变化,也就是说,EC之间大电流的变化规律和基级小电压(电流)的变化规律完全相同,而数量上相差近3次方的数量级,,此即所谓的放大,,有的课本上描述为发射结宽度调制效应。总结,一个字“变”。

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长征0102| | 2010-11-15 18:41 | 只看该作者
这个贴子看过了

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haishy| | 2010-11-15 21:03 | 只看该作者

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congtoulai| | 2010-11-15 22:46 | 只看该作者
TO;9#
个人观点:电流是电子流动而形成的,所以当Ib越大时b区由于进入了大量的电子而使b区的空穴相对减少,当达到稳定时b区的空穴相对于Ib小时的空穴要少的多,因此b区截流的电子就会少,由于电路稳定时从e流入的电子是一定的,从而使流向C的电子流相对较大也就是Ic的增大

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lgd8686| | 2010-11-20 14:01 | 只看该作者
笔者说少数载流子能能很好的通过处于反偏状态下的PN节我觉得有待斟酌。学习三极管必须了解三极管三个级的结构特点,参杂浓度,并在结合电子浓度梯度与扩散的基础上来学习。

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haishy| | 2010-11-20 21:25 | 只看该作者
学习

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jimsboy| | 2010-11-21 23:10 | 只看该作者
我对三极管的理解:
B极的电压打开了BE之间的门,于是大量电子往B极跑,可惜B极太薄了,电子跑过来了不少,但能去B极的却很少,大部分都被C极吸引走了。

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lantianplan| | 2010-11-22 00:39 | 只看该作者
本帖最后由 lantianplan 于 2010-11-22 01:17 编辑

很好的内容。
对那位说的《量子力学》很感兴趣,好像是很深的学问,帅的很。
为什么集电极一定要保持0.2V的电压呢?不能再低一点吗?
如果Vcc设置到10000V,那么相应的IC可以很大很大,只要输入足够大,也可以放大大信号是吧。我觉得电子也会不够用吧,不够用才叫饱和吧,或者用的太多了才叫饱和。

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姚承明555| | 2010-11-22 17:47 | 只看该作者
先顶再看

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tacheng| | 2010-11-23 13:00 | 只看该作者
:handshake

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beandy| | 2010-11-23 22:10 | 只看该作者
三极管还有栅极?

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baifan46| | 2010-11-23 22:52 | 只看该作者
先学习了再说!!

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shenquan| | 2011-4-25 19:50 | 只看该作者
长见识了!

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ghost1325|  楼主 | 2011-4-27 17:06 | 只看该作者
三极管还有栅极?
beandy 发表于 2010-11-23 22:10


三极管当然没有栅极,你看完全文就知道人家说什么的了

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FJIYU| | 2011-4-27 17:23 | 只看该作者
栅极是电压型器件的控制极,通常说的三极管一般是电流型器件,其控制极称为基极

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