本帖最后由 tongshaoqiang 于 2010-9-27 17:28 编辑
3# maychang
今天再来看看这个帖子。有个疑问,谈谈我的看法,同时也请教个新问题。
看过以前大家讨论关于三极管饱和深度的恢复时间帖子
https://bbs.21ic.com/icview-197165-1-1.html
mos工作在开关状态输出波形的上升下降时间仅仅跟栅源间的分布电容有关。如果让输出波形的上升下降时间小,让输入信号的输出阻抗变小。而具体实验(让R2由10k变成5k,输出波形的上升沿下降沿改善不是很明显)也说明R2的取值不是改善输出信号响应的根本,但多少也有改善。
1、请教老大,R2电阻的取值小,输出波形的上升沿就陡一些,是否这个“陡”意味着上升沿时间就小呢?
2、让R2减小,流过MOS的Id电流就变大,是否就是所谓的驱动能力变大呢?(我觉得是这样,让流过负载的电流增大,就是所谓的驱动能力增大。)
3、如何确保mos工作在截止跟可变电阻区?仅与控制输入电压vgs有关吗?
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