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关于三极管深度饱和恢复时间问题

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楼主: guolingho
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chunk| | 2019-1-30 13:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
集成电路从低速的TTL发展成高速的肖特基,它内部的晶体管有什么变化?这种变化导致性能提升,可否用“集电结电容”加以解释?

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hk6108| | 2019-1-30 16:19 | 只看该作者
达林顿充其量是小管饱和,大管不会饱和,其实,开通也需时间,不单关断。

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彭工WorkerPeng| | 2019-10-11 18:44 | 只看该作者
maychang 发表于 2010-9-23 12:57
3楼所说和楼主所说根本是两回事,而且叙述不正确。
双极型三极管从深饱和到截止的时间延迟,主要是基区电荷 ...

老先生果然懂得多,为这个问题我去翻了微电子器件的书籍,也请教了业内几个做IC设计的朋友,确实是这个原因。

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