关于三极管深度饱和恢复时间问题

只看该作者 · 2019-1-30 13:00

集成电路从低速的TTL发展成高速的肖特基，它内部的晶体管有什么变化？这种变化导致性能提升，可否用“集电结电容”加以解释？

只看该作者 · 2019-1-30 16:19

达林顿充其量是小管饱和，大管不会饱和，其实，开通也需时间，不单关断。

只看该作者 · 2019-10-11 18:44

maychang 发表于 2010-9-23 12:57
3楼所说和楼主所说根本是两回事，而且叙述不正确。
双极型三极管从深饱和到截止的时间延迟，主要是基区电荷 ...

老先生果然懂得多，为这个问题我去翻了微电子器件的书籍，也请教了业内几个做IC设计的朋友，确实是这个原因。