栅极驱动IC

只看该作者 · 2010-10-9 10:53

求一款栅极/基极驱动IC

1.高速度，驱动电流在2A以上；
2.单通道，不需要浮地驱动；
3.易采购。

3万 · 2010-10-9 11:33

没有这样选择芯片的。
开关电源控制芯片，应该根据你的电路拓扑选择，是全桥？单端反激？单端正激？……
驱动电流不够，另加电流扩展电路(注意扩展电路的速度)。

只看该作者 · 2010-10-9 11:44

是boost电路，boss嫌推挽太慢，要求增加一级驱动，上面的要求也是根据需要写出来的，感觉和拓扑没多大关系啊

3万 · 2010-10-9 11:58

Boost电路，你设计的是多大输出功率？需要2A驱动电流？你原来使用的控制芯片是什么型号？
在这个频率和这个电流要求下，往往是分立元件比集成电路成本更低。

只看该作者 · 2010-10-9 12:02

设计到几个千瓦吧，主要是后期boss想测试SiC器件，不是做产品；
另外，用分立元件，推挽之类的话，怎么样确保高速度呢

3万 · 2010-10-9 12:23

嗯，显然不是做产品。Boost电路做几千瓦，要是产品的话，成本太高。

“用分立元件，推挽之类的话，怎么样确保高速度呢”
最重要的，驱动的两管不能工作到饱和，只能工作到接近饱和而尚未饱和的区域。由于管子参数的分散性，往往需要单件手工调整。或者在电路中采取抗饱和措施，就像LSTTL芯片输出级中采用的方法。

只看该作者 · 2010-10-9 12:34

谢谢哈，另外想问一下，栅极驱动的电流和功率大小关系是怎么样的。我一直的理解是大的驱动电流增快开关管的开关速度，稳定的开通和关断以后不就没有电流了吗？

3万 · 2010-10-9 12:44

7楼：
对MOS管，的确如此，MOS管导通或关断之后即不再需要输入电流。所以MOS管的驱动电流是在导通和关断时的尖峰。
对双极型管则不然。

只看该作者 · 2010-10-9 12:47

那对于MOS和IGBT的栅极驱动电流，不是越大越好吗

3万 · 2010-10-9 13:17

9楼：
一般地说，对MOS和IGBT的驱动电流是大些好。
但，如你7楼所说，驱动仅在管子导通关断瞬间需要电流，稳定状态并不需要电流。那么对驱动电路来说，平均电流并不是很大，然而需要驱动电路有足够的电流输出能力。
另一方面，驱动电路电流输出能力提高到一定程度之后，MOS和IGBT的导通关断时间(MOS和IGBT输出上升和下降沿)不再随驱动能力增加而减少。此时MOS和IGBT导通关断时间受管子自身性能限制(如引线电感等等)，无法再短。
所以无限制地提高驱动电路电流输出能力没有必要，够用即可。