首先，我是看到楼主在说：
一项是RDS，和规格书上相差无几都为150mΩ上下（25°C，ID=1A,Ugs=12V。规格书标190mΩ）
发觉有点不对劲，这么大的管子用1A去测出150mohm，感觉这个阻值的管子电流不会小，用1A测出来的值肯定不对，才去下他的datasheet，发现测试条件是10A，典型值是155mohm，而我还知道电流小了阻值还会更小，所以提出阻值比典型值偏大了，这个不应该？
至于说超结是中国人的专利，请看：
1988年，飞利蒲的D.J.Coe就横向高压MOS采用pn结申请美国专利；
1993年，陈星弼就纵向高压MOS采用pn结的思想申请美国专利；
1995年，西门子J.Tihanyi就纵向高压MOS采用pn结的应用申请美国专利；
1997年，Tatsuhiko统一超结理论
1998年，西门子推出第一代超结MOS
这些时间，陈在做什么？原来是卖了个想法啊，人家申请应用专利你咬别人啊
专利卖给谁了？卖西门子？卖就卖了，拿了钱要回头找买家打个什官司？有点赌品没有啊？
（官司的事不懂，不多说了）
最后一句，不要拿爱国主义来忽悠技术人，时间是最好的检验员，三年后再定论，国内做MOS的看多了 |
