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楼主: llljh
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kangzj| | 2017-9-2 16:49 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
从你的原理图上面看,WE和OE没有加上拉,请加上上拉。然后试试对SRAM的写入,再通过FPGA读出,确认数据已经被正确的写入到RAM里面。

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llljh|  楼主 | 2017-9-2 16:52 | 只看该作者
可以的

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zyf部长| | 2017-9-2 16:55 | 只看该作者

嗯,说明FPGA与NVSRAM之间的接口时序没有问题。然后再断电,测试FPGA读出的数据是否正确。

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xxmmi| | 2017-9-2 16:57 | 只看该作者

如果WE和OE都是有FPGA控制,请主意对照数据手册上面的读写时序的要求。4Mbit的芯片,必须要使用68uF以上的电容,原来的47uF是肯定不行的。

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zwll| | 2017-9-2 16:59 | 只看该作者
或者你用AN43593建议的 68 µF ± 10试一下。

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chuxh| | 2017-9-2 17:00 | 只看该作者
根据datasheet和应用笔记,WE还是应该上拉的

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llljh|  楼主 | 2017-9-2 17:03 | 只看该作者
打算改了程序和仔细研究时序,从程序方面木有突破,等尝试了修改硬件后在汇报结果~

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juventus9554| | 2017-9-2 17:04 | 只看该作者
期待楼主的结果

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llljh|  楼主 | 2017-9-2 17:06 | 只看该作者

上拉的目的是什么呢 现在是不掉电写进去都读不出来

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stly| | 2017-9-2 17:07 | 只看该作者

Datasheet是这样写的:
A pull-up should be placed on WE to hold it inactive during power-up. This
pull-up is effective only if the WE signal is tristate during
power-up. Many MPUs tristate their controls on power-up. This
should be verified when using the pull-up. When the nvSRAM
comes out of power-on-RECALL, the MPU must be active or the
WE held inactive until the MPU comes out of reset.

就是说为了确保上电的时候WE不起作用。当nvSRAM power-on-RECALL时,直到MPU复位后WE才有效。

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llljh|  楼主 | 2017-9-2 17:10 | 只看该作者

好,那先结贴了

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