可控硅可以直接用IO口推嗎？

4万 · 2007-2-6 17:00

就你的图中而言，如果负载是纯阻性的，输出波形是你的触发脉冲上升沿后＋该触发电流下的导通时间至过零点的部分正弦波。你忽视“导通时间”是因为这个时间很短，一般uS级（也有nS级的高速型号），跟工频周期相比多数情况下可以忽略，但如果在高速应用及某些很大功率或非阻性负载下就得考虑了，有时甚至要考虑温度的影响，因为温度也会影响导通时间。
在额定参数范围内，触发电流越大，导通时间越短，有些资料里，“导通时间”亦译作“开通时间”，英文Tgt。

4万 · 2007-2-6 17:04

未做过需要考量“导通时间”的相关设计而不知道“导通时间”一定程度上情有可原，但这是可控硅的基本参数，如果有设计前仔细阅读器件手册的优秀习惯（绝对称得上“优秀”）你就不会不知道了。

3万 · 2007-2-6 18:16

还以为坏了，后来对照资料一看，触发电流居然要1A！

只看该作者 · 2007-2-7 08:02

可能我理解错了,你所说的“导通时间”是可控硅触发后的开通时间,这个US级的延时我想应该可以忽略,因为可控硅不能工作在高频.

只看该作者 · 2007-2-7 08:09

"直流-交流逆变也有使用可控硅的，附加了一个关断辅助电路"
附加了一个关断辅助电路"就这个关断辅助能帮我仔细讲讲吗?我想这个辅助可不简单,要使可控硅关断就必须去掉阳极和阴极的电压,但大功率逆变电源工作在大电流,所以你的辅助也需要大功率元件进行切换,但这样做有何意义,干脆还是用MOSFET?请您说说,谢谢

只看该作者 · 2007-2-7 08:20

图中可控硅(其实可以用个单向的,不过就实验先不考虑)负载为容性,通过移相方式给电容充电,请问CHUNYANG前辈,作为容性负载上应用可控硅需要注意什么?下图电路是否正确?谢谢

只看该作者 · 2007-2-7 08:48

最典型的是用在直流输变电的逆变系统上，或者大功率工业电气系统上(例如弧焊机)。

实现可控硅铅强迫关断的方法之一，就是在主可控硅阴极、阳极之间并联一个辅助可控硅，而这个小可控硅是串联了电容的（还有一些次要辅助元件，就不提了）。

当电路需要关断主可控硅时候，触发辅助可控硅。辅助可控硅的阴极、阳极之间压降比主可控硅小得多，所以主可控硅的电流被分流到辅助可控硅上,主可控硅自身的电流低到不能维持导通的程度而关闭。由于辅助可控硅是串联了电容的，随着电容的充电，辅助可控硅内电流逐渐减小，最终也因为小于维持电流而关断。

可控硅逆变系统的显著优点是电压等级很高，而电流也很大(kVkA级别)，更主要的达到这个高功率能力的同时，器件价格还相对低廉。

4万 · 2007-2-7 10:37

    高速可控硅是型号众多的一大门类，当然如果你要将“高频”进行“导通时间”式的理解也没办法，这个“高频”当然不是高频通讯里的“高频”，只是相对工频而言，但术语就是术语，就像对“导通时间”的理解一样。
    至于你理解uS级的导通时间可以忽略，我前面讲过前提的，如果前提不存在，那就不能忽略，否则也不会有高速可控硅了。
    你的电路不知做什么用，大电容的泻放电路阻抗太大，稍一充电哪怕是上电瞬态可能存在的误触发（由你的前级逻辑设计决定）就能让电荷保持很久。可控硅带容性负载要考虑瞬态电流的影响，选不好可控硅容易造成可靠性和寿命问题。

只看该作者 · 2007-2-7 10:53

没用过
但以前学过，chunyang说的很对，不过具体1触发时间我可不知道，，大家说说有什么现象，先了解了解

只看该作者 · 2007-2-7 11:03

利用电容瞬间"短路"的特性强迫将主可控硅阳极和阴极间的电压降低,从而使其截止.不过这个关断可控硅可不好选哦,要瞬间能够承受"短路"电流的能力,假设电源内阻足够小,瞬间无穷大的电流不知还能不能顶的住?谢谢

只看该作者 · 2007-2-7 11:14

这项技术已经很成熟了，利用LC谐振，就能让可控硅“断流”截止

只看该作者 · 2007-2-7 11:19

就算它触发后延时10US,我想也应该没问题,作为可控硅能工作在10K到20K的频率也可以将这个10US忽略,不知您说的高频是否可以工作在20K以上?
我这个电路目的是给电容充电,电容两端电压通过可控硅可以从100-250之间调节,通过移相方式充电,使其在100V能够稳定,不会过充,但是移相方式确实存在如您所说的误触发,这是为何?我前级是单片机控制,通过检测过零信号后延时触发可控硅来调节电压,但是可控硅在控制电容时根本就不起作用,本来就最大移相角控制电容充电,但在可控硅输出端却出现了"全波",也就是您说的误触发,这个该如何解决呢?谢谢CHUNYANG

只看该作者 · 2007-2-7 11:51

可控硅关断速度较慢，小功率的为数uS，大功率的达数十uS，工作频率要限制在5KHz以内，很少有应用能达到10KHz

只看该作者 · 2007-2-7 13:40

在可控硅关断条件下，负载电容对于高频成分阻抗非常小，当可控硅负载另外是电容时候，即使可控硅没有施加触发信号，由于电容近似于短路，可控硅两侧承受巨大的电压突变。如果这个突变超过了可控硅的允许dV/dt,就相当于可控硅已经施加了高速电压突变引起的位移电流，这个位移电流作用于可控硅上，就可能使可控硅满足正反馈条件，诱发意外的导通。

如果负载电路dV/dt比较大，就要考虑采取抑制措施。例如，并接阻容网络。

如果可控硅处于开通条件下，开通时候电容迅速充电，会因为超过允许的di/dt引起可控硅芯片局部过热（可控硅导通过程中，载流子密度是在导通时候从触发点向整个芯片扩散的，所以初期触发点处电流密度很高），这时候有损坏可控硅的危险。解决办法是串接电抗器。

只看该作者 · 2007-2-7 16:31

厉害,佩服.一直在井底观天,感觉"天"其实也不大,出来一看,其实天很大啊
惭愧啊,谢谢AA-55,CHUNYANG 两位前辈.

可控硅可以直接用IO口推嗎？

“导通时间”是可控硅的重要参数，只有一个定义

类似的，关断时间也是可控硅的重要的参数

看具体的了。我一开始用过几个大硅，怎么也没法触发导通

那应该叫开通时间才对,谢谢CHUNYANG

谢谢AA_55批评.

请麻烦CHUNYANG前辈看看下图,帮我分析分析

在电力电子领域中，强迫关断可控硅是常见的

“可控硅不能工作在高频”也是错的

HAHA，

AA-55这个逆变原理有趣

不只是有趣

CHUNYANG:作为US级我想应该可以忽略

关断速度影响工作频率

要理解dV/dt和di/dt的概念

谢谢AA_55 ,

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