Flash厂商是怎么知道它的FLASH memory的寿命?

发表于 2007-5-5 12:58

Flash厂商是怎么知道它的FLASH memory的寿命(保存时间)?通过什么方**

发表于 2007-5-5 20:04

加速寿命试验.pdf → <a href="https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20075/20075520151502.pdf" target=_blank>https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20075/20075520151502.pdf</a> <img src="https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20075/20075520228952.gif"> <img src="https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20075/2007552032372.gif"> <img src="https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20075/20075520325226.gif">

发表于 2007-5-5 20:27

之所以提到文物、化石等常伴随提到半衰期，是指利用检测某些放射性元素的含量比例来测定文物或化石年代的方法，特定的放射性元素都有恒定的半衰期，这就是其检测原理。     Flash、EEPROM、EPROM、铁电存储器等非易失数据存储元件的数据储藏时间跟其结构有关，这类元件都是利用将电荷注入储存元件的办法来存储数据，以Flash而言，其存储单元的基本结构是多了一层“悬置栅极”的MOS管，电子通过“沟道热电子注入效应”进入悬置栅极，从而使该MOS管处于固定的偏置状态，数据因此得以保存。但任何物质只要其温度不是绝对零度就一定存在热运动，电子也不例外，悬置栅极本身虽然没有直接的电子泻放通道，但电子的热运动会使少量能量高于结势垒的高速电子溢出悬置栅极从而使其“封闭”的电子数量越来越少，当电子数量少到一定程度不能使MOS管处于固定偏置态时，该单元存储的数据就不存在了，这段时间这就是Flash的数据存储时间。     21IC的网友应该绝大多数都是已接受或正在接受高等教育的人群，这些道理（包括什么“半衰期”）应是基本概念，就算不知道，起码一点就该通的，否则只能说一个“懒”字，不过看来科普还得大力推广啊。

发表于 2007-5-5 13:19

发表于 2007-5-5 13:58

发表于 2007-5-5 14:03

发表于 2007-5-5 14:44

发表于 2007-5-5 18:55

发表于 2007-5-5 19:47

    不同产品有不同的检测方法和检测标准，但总的原则是在专业实验室条件下，模拟复杂环境对随机抽样出来的产品进行持续运行监测，一定周期后再对样品及其运行表现进行详细分析和评估，然后根据统计学原则计算出来。

发表于 2007-5-5 19:58

文物或化石的年代有半衰期，难道芯片的寿命也有半衰期？

发表于 2007-5-5 20:48

发表于 2007-5-7 07:57

发表于 2007-5-7 08:01

发表于 2007-5-7 09:46

呵呵 诲人不倦啊！

发表于 2007-5-8 08:17

嘿嘿 chunyang老大说话确实很客气

发表于 2007-5-8 09:18

Flash、EEPROM、EPROM、铁电存储器等非易失数据存储元件的数据储藏时间跟其结构有关，这类元件都是利用将电荷注入储存元件的办法来存储数据，以Flash而言，其存储单元的基本结构是多了一层“悬置栅极”的MOS管，电子通过“沟道热电子注入效应”进入悬置栅极，从而使该MOS管处于固定的偏置状态，数据因此得以保存。但任何物质只要其温度不是绝对零度就一定存在热运动，电子也不例外，悬置栅极本身虽然没有直接的电子泻放通道，但电子的热运动会使少量能量高于结势垒的高速电子溢出悬置栅极从而使其“封闭”的电子数量越来越少，当电子数量少到一定程度不能使MOS管处于固定偏置态时，该单元存储的数据就不存在了，这段时间这就是Flash的数据存储时间。 这当然是和半衰期的概念一致的，以上文字我赞同，MOS管上存储的电荷会逐渐减少，就像电池会自放电一样，少到一定程度就算没电了，只是二者衰减不一定都是非常线性的50%  ...50%...50% ，但我认为还是可以按照半衰期来理解，虽然这个词一般用于原子物理

发表于 2007-5-8 09:41

规律是一样的，都是随时间成指数衰减。只不过放射性常用半衰期表达，而电容通过电阻放电常用时间常数表达，芯片用寿命表达而已。

发表于 2007-5-8 09:48

半衰期是指某种特定物质的量经过某种反应或效应降低到初始量的一半时所消耗的时间，如果拿半衰期来衡量Flash单元封闭电子的量是无意义的，电子溢出一半和该单元MOS管的状态无必然对应关系，通常的门槛比50％要低得多且亦非定值。     概念容不得丝毫含糊。

发表于 2007-5-9 22:39

看了些网页，讲的不是很全。 能否将常见的存储器的原理讲讲。

Flash厂商是怎么知道它的FLASH memory的寿命?

相关帖子

参考一下

放射性元素才有半衰期，文物或化石可没有这个概念！

应该可以根据管子的漏电流来算吧

在常温及额定电压下的电子溢出率，跟漏电流无关

不清楚，看看谁清楚？

顺便问问，电源产品寿命（如10000小时）是怎么确定的呢？？

不会是忽悠人的吧?

产品的无故障工作时间或平均故障间隔时间都是专门测试出

这个问题我也疑惑

楼上这个“懒”字，说得太客气了~~~

就这恐怕很多人还不服呢……

谢谢大虾们的详细解释

版主可以该行从事科普教育了

还半衰期了

我认为还是可以按照半衰期来理解

其实Flash存储、放射性元素的衰变、一个电容通过电阻放电等

半衰期的概念

chunyang老大，开个讲坛吧。

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