哇，终于搞懂了，电路的作用就是防反接，放置后极电路电流倒灌；
因为供电电流比较大，在2A左右，如果单是一个二极管的话，0.3/0.7 V x 2A = 0.6/1.4w，功耗还是很大的；所以需要用MOSFET，MOSFET导通阻抗在m欧级别，I^2 X R =0.16w 左右甚至更小；
电路的实现是这样的，在正向导通的时候，由于Q8A的EB二极管的压降导致Q8B并不能导通，所以栅源电压在-5V左右，导通阻抗很小，此时MOSFET的功耗很小；
当反向导通的时候，由于R163的存在，Q8B的EB二极管是导通的，此时Q8B的集电极电压就会被拉高，导致栅源电压不足以导通MOSFET从而起到防倒灌的作用。
大致思路如上（解释的应该是对的），后面遇到此类问题的小伙伴也可以参考一下。
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