STM8L152R8T6的flash块写问题

只看该作者 · 2017-11-23 15:40

本帖最后由 skyhawl 于 2017-11-23 15:45 编辑

该芯片的flash的main program区域可以到0x17fff，但是在进行flash块写的时候，可以一直写到0xffff所在块。但是0x10000之后的块写不进去了。不知道是何原因。大概代码如下。完整代码比较多。简单贴出部分。大致做法是：有一个flash中的fls_write_block函数。将它copy到ram中，然后从ram中调用。使用环境为STVD环境。

      COPY_FLSWRITEBLOCK_INTO_RAM();
      for(i=0;i<128;i++)//初始化/赋值块数据缓冲区
      {
            DataBuffer = i;
      }
      eeprom_block = 0xff80; // 块操作的首地址。
      _asm("call _eeprom_write_block_in_ram");       // 调用RAM地址的指令
//----------------------------------------
      eeprom_block = 0x10000; // 块操作的首地址。
      _asm("call _eeprom_write_block_in_ram");       // 调用RAM地址的指令

//----------------------------------------
void FLS_WRITE_BLOCK(void)
{
      unsigned char count;

      /*固定编程时间为tprog,FIX=1 */
      FLASH_CR1 &= ~0x01;
      FLASH_CR1 |= 0x01;
      /*设置为块编程模式*/
      FLASH_CR2 &= ~0x01;
      FLASH_CR2 |= 0x01;

      /*输入MASS密钥，解锁EEPROM */
      FLASH_PUKR = 0x56;
      FLASH_PUKR = 0xAE;

      /*写入128字节数据,即一个块*/
      for(count = 0;count < 128;count++)
      {
            *((unsigned char*)(eeprom_block + count)) = DataBuffer[count];
      }

      /*等待HVOFF=1,即EEPROM编程结束*/
      while((FLASH_IAPSR & 0x40)!= 0);
}
//----------------------------------------
/************将块写函数EEPROM_WRITE_BLOCK拷贝到RAM中************/
void COPY_EEPROMWRITEBLOCK_INTO_RAM(void)
{
      unsigned char eecount = 0;
      while(*((unsigned char*)FLS_WRITE_BLOCK+ eecount) != 0x81)
      {
            eeprom_write_block_in_ram[eecount] = *((unsigned char*)FLS_WRITE_BLOCK+ eecount);
            eecount++;
      }
      eeprom_write_block_in_ram[eecount] = 0x81;       //0x81为RET指令
}