最开始使用凌特IC做了一个4节锂电池充电和系统供电的模块。
输入14~30V。输出16.8V，VBAT最大充电电流3.3A。VOUT输出3A（实测4A没问题，效率91%）。
但从最开始到现在遇到了两个问题，可以说是开关电源中很核心的两个问题，再次发帖，希望能达到抛砖引玉的效果，能帮助更多的人。
也希望能彻底理解和解决掉这两个核心问题。
问题一：环路补偿--环路不稳定。
首先：在我刚做的demo到达后测试，输入15V，输出16.8V，输出电流在2A以上时就电感啸叫，并且电感发烫严重，计算此时的效率大概在80%左右。
基本可判断为环路不稳定造成，但当时不知道如何解决，直接在2A或者3A状态下测量补偿引脚ITH或VC，发现示波器探头接触后，电感不再啸叫，也不再
发烫。查阅了相关资料，主要有TI：环路补偿很容易以及凌特：
开关模式电源的建模和环路补偿设计http://linear.**.com/article/id-%E5%BC%80%E5%85%B3%E7%94%B5%E6%BA%90
其中提到一点：环路不稳定的一般表现为：不稳定电源的典型症状包括：磁性组件或陶瓷电容器产生可听噪声、开关波形中有抖动、输出电压震荡、功率 FET 过热等等。
判断方式使用：一种快速确定运行不稳定是否由环路补偿引起的方法是，在反馈误差放大器输出引脚 (ITH) 和 IC 地之间放置一个 0.1μF 的大型电容器。(或者，就电压模式电源而言，这个电容器可以放置在放大器输出引脚和反馈引脚之间。) 这个 0.1μF 的电容器通常被认为足够大，可以将环路带宽拓展至低频，因此可确保电压环路稳定性。如果用上这个电容器以后，电源变得稳定了，那么问题就有可能用环路补偿解决。
1.开始之前：测量补偿前的动态响应输出：使用示波器交流耦合方式1A到3A加载，10mS.波形如下：（瞬态负载）
可以看出，是一个很不稳定的二阶系统（二阶响应）
2.添加0.1uF补偿电容：（最好先看一下凌特上述链接的**，再看我下面的实验及说明）结果如下：
可以看到其变成得稳定了，再次条件下测量带载能力，输出16.8V，3A没问题。
据此可判断环路带宽太宽，即交叉频率Fc太大，导致系统不够稳定，因此需要将Fc缩小，引Power state已基本固定，就通过修改补偿环节以达到修改环路补偿Abeita的效果。
（如需深入了解因学习一下负反馈理论和运算放大器传递函数等理论，后面会添加TI的反馈笔记）
根据TI环路补偿很容易部分的伯德图，可判断基本方式为减小如下中频增益和拓宽补偿零点。降压时也相同
根据其计算公式，可知要较少Rcomp或Ccomp.
再（回想使用示波器探头测量之后就会变稳定，就是因为探头的2M电阻与Ro 1M并联，较小了Ro，也即降低了中频增益）。
一下具体操作时将Ccomp减小1倍，也即将零点提高1倍。使得Fc较小，环路变稳定。
具体实验为：Rcomp 47K;Ccomp=270pF
测试OK，3A负载(2A加载)时瞬态有200mV过冲，且有高频毛刺。波形如下：
据此稳定性已基本解决，测试全部输入电压范围和最大负载3A均正常，效率到在90%以上。
效率对比如下：
14V输入时：补偿前效率为83%，补偿后为93%；
发热消耗的功率为：16.8x3x10%=5W;可见电感不烫也是不行啊。
据此不稳定问题已解决，同步发出希望遇到相似问题的人参考，再次请再次注意，不稳定可能引起的现象，防止一开始就走偏路：
环路不稳定的一般表现为：不稳定电源的典型症状包括：磁性组件或陶瓷电容器产生可听噪声、开关波形中有抖动、输出电压震荡、功率 FET 过热等等。
电感发热不一定是过流问题，也可能是不稳定问题。
问题二：输出电压含有频率与开关频率相同的纹波。如下解决？
设计为240Khz的PWM波，实际测试238Khz,输出Vout也具有相同频率的纹波，3A时纹波240mV,再以上瞬态响应的示波器图中也能看到其大概的轮廓。
以下是电感在接近输出端的波形为标准的二阶响应。
查找了相关的网站，可以使用RCD的方式吸收MOS的尖峰，目前准备添加如下的RC测试，还未测试，也请大侠们帮忙说说相关的办法。
如下是百度文库中找到的资料说明：
随着SWITCH的开关，电感L中的电流也是在输出电流的有效值上下波动的。所以在输出端也会出现一个与SWITCH同频率的纹波，一般所说的纹波就是指这个。它与输出电容的容量和ESR有关系。这个纹波的频率与开关电源相同，为几十到几百KHz。
另外，SWITCH一般选用双极性晶体管或者MOSFET，不管是哪种，在其导通和截止的时候，都会有一个上升时间和下降时间。这时候在电路中就会出现一个与SWITCH上升下降时间的频率相同或者奇数倍频的噪声，一般为几十MHz。同样二极管D在反向恢复瞬间，其等效电路为电阻电容和电感的串联，会引起谐振，产生的噪声频率也为几十MHz。这两种噪声一般叫做高频噪声，幅值通常要比纹波大得多。
二极管高速导通截止时，要考虑寄生参数。在二极管反向恢复期间，等效电感和等效电容成为一个RC振荡器，产生高频振荡。为了抑制这种高频振荡，需在二极管两端并联电容C或RC缓冲网络。电阻一般取10Ω-100 Ω，电容取4.7pF-2.2nF。
在二极管上并联的电容C或者RC，其取值要经过反复试验才能确定。如果选用不当，反而会造成更严重的振荡。
对高频噪声要求严格的话，可以采用软开关技术。关于软开关，有很多书专门介绍。
如上所说二极管在本电路中为MOS（同步整流电路）。
请各位一起讨论，谢谢！
以下资料请参考：
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