一节干电池的防反接电路设计求助与探讨

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 楼主| 573838882 发表于 2018-1-6 16:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
条件:
(1)使用一节干电池供电(供电电压为1.6到1V之间)
(2)工作电流大概为180mA
( 3)静态漏电流小于10uA,(正常接电池时防反接电路漏电流)
(4)正常工作时压降小于0.1V(正常接电池时防反接电路压降)
我们自己试验了方案:
(1)我们现在试验肖特基管,发现sk2xx系列的用万用表测试时,正向压降为0.15V左右的样子,但是带载过流时发现压降为0.3--0.4V,所以说这种方式不行,
(2)我们用MOS管(一般的)做防反接电路,发现电压低于2V时,正常工作时的压降大于0.3V以上,(对于低功耗产品是不可接受的,影响电池能效转换)   
(3)我们利用物理的外形进行防反接,干电池,正极为突出结构,负极为平面结构,在正极的接触铜柱套一层绝缘橡胶圈,正接时,正极通过绝缘圈孔和接触铜柱接触,正常工作,反接时,应为负极只能和接触铜柱的绝缘橡胶圈接触,不能形成回路,进行防反接处理,
我们现在想进一步的优化:                          
     (1) 不通过外形的方式进行防反接处理,其他方式防反接,防反接电路进行防反接处理

(本帖进行技术探讨和优化,希望大家集思广益,想到更好的办法,和更好的经验,谢谢大家)
dsyq 发表于 2018-1-6 16:35 | 显示全部楼层
电源入的地方并一个“电阻+发光二极管”,接反了就亮红灯提醒。
chunyang 发表于 2018-1-6 16:49 | 显示全部楼层
还是从结构和提醒上下功夫,楼主的应用无法简单基于电路兼顾防反接和压降问题。非要用电路,MOS管防反接已是最佳效率的选择,注意用导通内阻低的型号,仅此。
 楼主| 573838882 发表于 2018-1-6 17:02 | 显示全部楼层
本帖最后由 573838882 于 2018-1-6 17:05 编辑
chunyang 发表于 2018-1-6 16:49
还是从结构和提醒上下功夫,楼主的应用无法简单基于电路兼顾防反接和压降问题。非要用电路,MOS管防反接已 ...

我们已经选用那种低阻抗,低工作电压的MOS管了,效果不理想,
 楼主| 573838882 发表于 2018-1-6 17:10 | 显示全部楼层
本帖最后由 573838882 于 2018-1-6 17:14 编辑
dsyq 发表于 2018-1-6 16:35
电源入的地方并一个“电阻+发光二极管”,接反了就亮红灯提醒。

客户是欧美的,对这个要求很严格的,安全性能,这个方案其他人做的,不是我们做的,其实设计两节电池串联(3v---2v),防反接电路很好做的,一节电池,1.5V低电压,真心麻烦,升压电路短时间反接还不会坏,时间长于5分钟,可能会挂,电压大于2V的某些升压芯片,对于1.5V的反接电压,不做处理都没事的,
摸摸 发表于 2018-1-6 21:51 | 显示全部楼层
何不换个思维?做一个不保护但也不烧东西的电源电路就得了。或者两个方向都能用?
gnaijnaoul 发表于 2018-1-7 10:16 来自手机 | 显示全部楼层
本帖最后由 gnaijnaoul 于 2018-1-7 10:31 编辑

看了一下低电压开启NMOS参数,标的0.5V~2V,可以试试找厂家筛选开启电压低于一定值的MOS。还可以考虑耗尽型的MOS。
chunyang 发表于 2018-1-7 14:38 | 显示全部楼层
573838882 发表于 2018-1-6 17:02
我们已经选用那种低阻抗,低工作电压的MOS管了,效果不理想,

那你要先弄清楚,什么才是“理想”。

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 楼主| 573838882 发表于 2018-1-8 10:07 | 显示全部楼层
gnaijnaoul 发表于 2018-1-7 10:16
看了一下低电压开启NMOS参数,标的0.5V~2V,可以试试找厂家筛选开启电压低于一定值的MOS。还可以考虑耗尽型 ...

谢谢
 楼主| 573838882 发表于 2018-1-8 10:08 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2018-1-7 14:38
那你要先弄清楚,什么才是“理想”。

用防反接电路,比较难,我们决定采用物理结构防反接,谢谢了,这的确是现实和理想的差距,
ldch88 发表于 2018-1-8 21:50 | 显示全部楼层
很多MOS开启电压只有0.xV,但低于1V导通不够彻底。很多DC-DC升压芯片启动电压只有0.8V,升压到3.3V给MOS的G极,接反不工作,保护;正确连接升压工作,MOS压降大大减小。如果成本受限不能增加升压电路,那就只能考虑物理结构,如果电池都是正极凸起的,其实很简单,只需在正极位置放置一个圆环状绝缘体即可,厚度略小于正极凸起高度即可。
NE5532 发表于 2018-1-8 23:45 | 显示全部楼层
结构能做到,不耗费电压降,而且也简单啊。
HiHawkes 发表于 2018-1-9 10:12 | 显示全部楼层
还有一个机会,是加自恢复保险丝和短路二极管,反向直接短路掉然后自恢复保护。这个也需要尝试,我一个案子大电流遇到防止反接问题,也是一样郁闷,NMOS没办法阻挡后续的负载端续流二极管,那个就相当于反接直接短路掉。我也在尝试。不过,我那个问题没有结构能保护。
619888476 发表于 2018-1-9 15:02 | 显示全部楼层
还是从结构上处理最简单
df_flying 发表于 2018-1-9 15:37 | 显示全部楼层
一节电池供电,结构上考虑比较好
ningling_21 发表于 2018-1-9 17:34 | 显示全部楼层
还是从结构上切入
funior 发表于 2018-1-9 18:57 | 显示全部楼层
二楼正解,好好想想办法,电路上可以实现的,多看几种mos
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