并联多颗MOS老烧！

2018-1-20 15:16

原理图如下图。锂电池组保护板上多颗并联N-MOS，选型的单颗MOS 150V 100A 0.004R，5颗MOS并联内阻0.0008R。测试中用6A电流放电测试并联的5颗MOS没有问题，测得压降4.5mV。当用26A电流的放电的时候，MOS就被烧毁，压降有1.8V，温度升温快，有150摄氏度+。测试了几次都被烧坏，不知道是什么原因，PCB上是加了铜条的，电流过50A都没有问题。

**@xch** · 2018-1-20 18:56

这是MOS驱动电路

2018-1-22 14:07

电路更改成这样的可以吗？
我设计的时候根本没考虑过Eas和Qs。
Eas怎么计算呢？用E=1/2V*I*T大概计算可以吗？
Qs这个怎么计算？
@xch

2018-1-24 10:49

tjzyh 发表于 2018-1-22 15:32
26A放电压降1.8V,MOS内阻没那么大，估计是没有完全打开导致。你这个电路既需要考虑可靠性又需要低功耗的。 ...

是的MOS打开速度太慢。

2018-1-24 10:50

jimsboy 发表于 2018-1-21 22:58
开关损耗过大。
也就是从完全截至到完全导通时间太长，这时管子发热是很严重的。要提高驱动能力，加图腾柱 ...

好的我试一试

2018-1-24 10:51

xcvista 发表于 2018-1-21 11:59
同意。建议换用一颗专门的 MOS 驱动芯片试试，至少是用图腾柱来驱动，不要这样电阻上下拉。 ...

有便宜的驱动芯片推荐吗？谢谢了

**@xch** · 2018-1-27 18:08

xch 发表于 2018-1-22 16:34
用这个速度快。你的驱动电路需求限制静态功耗吗？

这个图有问题。

2018-1-27 19:11

这是抄的别人去的驱动电路，T4和WJ是二极管具体型号不知道，PO应该是PNP，其它都确定型号的。我不是很清楚他这样设计的目的，有什么优点

2018-1-28 10:58

qq543592229 发表于 2018-1-27 18:08
这个图有问题。

输入信号是这样的

并联多颗MOS老烧！

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