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并联多颗MOS老烧！

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 楼主| qq543592229 发表于 2018-1-20 15:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOS, 并联, 电流, AC, 压降
原理图如下图。锂电池组保护板上多颗并联N-MOS，选型的单颗MOS 150V 100A 0.004R，5颗MOS并联内阻0.0008R。测试中用6A电流放电测试并联的5颗MOS没有问题，测得压降4.5mV。当用26A电流的放电的时候 ，MOS就被烧毁，压降有1.8V，温度升温快，有150摄氏度+。 测试了几次都被烧坏，不知道是什么原因，PCB上是加了铜条的，电流过50A都没有问题。

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xch
还有就算你把开关速度提升，但是mosfet 两端没有过压保护，很难说不被击穿。  发表于 2018-1-21 22:06
xch
你这驱动内阻太高了。MOSFET在开关瞬间，可以看成是一个个逐渐导通或者关闭的。小电流时过载不明显，26A加在一个管子受不了  发表于 2018-1-20 23:07
qq543592229
串联用的4.7M，太小了 功耗就增加了。  发表于 2018-1-20 18:54

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参与人数 1威望 +1 收起 理由
king5555 + 1 1M电阻太大了可能存在振盪也关不掉，宜用几k以下且并联两颗电阻求保证。

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 楼主| qq543592229 发表于 2018-1-20 18:56 | 显示全部楼层
这是MOS驱动电路

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qq543592229
@xch ：谢谢你。原因我也明白了，更改的电路在下面回复中，等新的MOS到了我再更改电路测试下  发表于 2018-1-22 14:09
xch
使用3个三极管完全可以搭出比较好的驱动，比这高速且功耗低。抄经典的TTL门电路即可。  发表于 2018-1-22 09:35
xch
器件手册说IRFB4410使用10V驱动开关电荷120nC，5只并联600nC。 而你使用12V,1MOHM内阻驱动，开关延时至少10mS。不烧才怪  发表于 2018-1-21 22:58
xch
按照器件手册，该mosfet只能承受240mJ 冲击， 只需一次开关时间超过128uS就完蛋了。 如果是测试多次开关，还会更容易热击穿  发表于 2018-1-21 22:16
xch
这么垃圾的低速驱动也敢用。难怪烧管子。假设开关电压是72V,开关电流是26A，开关瞬间MOSFET耗散功率峰值可能达到 1872W.  发表于 2018-1-21 22:11
gxs64 发表于 2018-1-20 22:12 | 显示全部楼层
加均流电阻
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jrcsh 发表于 2018-1-21 01:15 | 显示全部楼层
上PCB
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鸟鸟 发表于 2018-1-21 09:39 | 显示全部楼层
线性区时间太长
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xcvista 发表于 2018-1-21 11:59 | 显示全部楼层
鸟鸟 发表于 2018-1-21 09:39
线性区时间太长

同意。建议换用一颗专门的 MOS 驱动芯片试试，至少是用图腾柱来驱动，不要这样电阻上下拉。
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雪山飞狐D 发表于 2018-1-21 20:03 | 显示全部楼层
  MOS管参数并非一致，简单说就是导通等效电阻不一致，单一MOS管可能会超标，需要加电阻做反馈均衡输出
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ecoren 发表于 2018-1-21 22:32 | 显示全部楼层
需要均流电路
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jimsboy 发表于 2018-1-21 22:58 | 显示全部楼层
开关损耗过大。
也就是从完全截至到完全导通时间太长，这时管子发热是很严重的。要提高驱动能力，加图腾柱
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whtwhtw 发表于 2018-1-22 14:01 | 显示全部楼层
大家提的都很好，确实是驱动电路不行
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 楼主| qq543592229 发表于 2018-1-22 14:07 | 显示全部楼层
电路更改成这样的可以吗？
我设计的时候根本没考虑过Eas和Qs。
Eas怎么计算呢？用E=1/2V*I*T大概计算可以吗？
Qs这个怎么计算？
@xch


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xch
然后在Q52集电极限制电压到12V左右。这样输出分压电阻就可以拆除。Q52 的E,C对调，找合适的NPN管就可以限制驱动电压到12V左右。VEBO=12v的  发表于 2018-1-24 18:53
xch
假设5401的HFE =100,高电平输出驱动时，给MOSFET栅极驱动的电流只有700uA，这未免太小。所以说速度不够快。 所以Q54最好使用达林顿。  发表于 2018-1-24 18:48
xch
按照这个电路，说明你可以接受1.2mA 驱动功耗。 但是这电路速度还是不够快。  发表于 2018-1-24 11:53
qq543592229
Q54和Q53放反了  发表于 2018-1-24 10:50
xch
你这电路直接烧Q53,54.  发表于 2018-1-22 15:47
tjzyh 发表于 2018-1-22 15:22 | 显示全部楼层
Q54 Q53直通啦
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tjzyh 发表于 2018-1-22 15:32 | 显示全部楼层
26A放电压降1.8V,MOS内阻没那么大，估计是没有完全打开导致。你这个电路既需要考虑可靠性又需要低功耗的。你想直接72V通过电阻分压驱动MOSFET，这是个技术关键点。三极管这种东西就不要再保护板里用了吧，这种器件都需要消耗一定电流的。多考虑漏电流的影响！！！
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xch 发表于 2018-1-22 16:34 | 显示全部楼层
qq543592229 发表于 2018-1-22 14:07
电路更改成这样的可以吗？
我设计的时候根本没考虑过Eas和Qs。
Eas怎么计算呢？用E=1/2V*I*T大概计算可以吗 ...

用这个速度快。你的驱动电路需求限制静态功耗吗？

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xch
既然要成本低，你还用这么多MOSFET并联？ 把驱动做好，只需要两个MOSFET串联即可。  发表于 2018-1-24 11:43
qq543592229
@xch ：因为我这个保护板用在电池组上的，所以功耗要求低，成本也要求低。  发表于 2018-1-24 10:46
qq543592229
@xch ：但是存在MOS开关切换的时候损坏，我想VGS从高到低的开关速率还是太慢了。下一步我搭建你推荐的电路测试下。  发表于 2018-1-24 10:45
qq543592229
@xch ：谢谢你指导了！ 我把我之前的电路串联5.1M并联1M换成了串联47k和并联10k，目前30A电流没有烧坏了。  发表于 2018-1-24 10:44
xch
因为高速三极管耐压都很低,你可以制作一个12V电源,这样驱动更快.  发表于 2018-1-23 09:52
 楼主| qq543592229 发表于 2018-1-24 10:49 | 显示全部楼层
tjzyh 发表于 2018-1-22 15:32
26A放电压降1.8V,MOS内阻没那么大，估计是没有完全打开导致。你这个电路既需要考虑可靠性又需要低功耗的。 ...

是的MOS打开速度太慢。
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 楼主| qq543592229 发表于 2018-1-24 10:50 | 显示全部楼层
jimsboy 发表于 2018-1-21 22:58
开关损耗过大。
也就是从完全截至到完全导通时间太长，这时管子发热是很严重的。要提高驱动能力，加图腾柱 ...

好的 我试一试
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 楼主| qq543592229 发表于 2018-1-24 10:51 | 显示全部楼层
xcvista 发表于 2018-1-21 11:59
同意。建议换用一颗专门的 MOS 驱动芯片试试，至少是用图腾柱来驱动，不要这样电阻上下拉。 ...

有便宜的驱动芯片推荐吗？ 谢谢了
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 楼主| qq543592229 发表于 2018-1-27 18:08 | 显示全部楼层
xch 发表于 2018-1-22 16:34
用这个速度快。你的驱动电路需求限制静态功耗吗？

这个图有问题。

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qq543592229
@xch ：Q6 B是电池串联的电压输入，串联电阻470k，电压范围也是3V-80V  发表于 2018-1-28 10:56
xch
VQ10_E >VQ9_B. 说明这仿真软件很奇葩  发表于 2018-1-27 21:37
xch
仿真软件不可尽信  发表于 2018-1-27 21:31
xch
R10,R11应当使用0ohm。  发表于 2018-1-27 21:15
xch
S2 开关与Q6之间应该要串联一个电阻，100~1kohm比较接近MCU驱动能力。 你这仿真软件不知道3V加在三极管上就烧了Q6,Q7  发表于 2018-1-27 21:13
xch
Q10 E 和Q9 B之间加一个电阻1MOHM，就可以正常了。ICEO漏电流问题  发表于 2018-1-27 21:10
 楼主| qq543592229 发表于 2018-1-27 19:11 | 显示全部楼层
这是抄的别人去的驱动电路，T4和WJ是二极管具体型号不知道，PO应该是PNP，其它都确定型号的。我不是很清楚他这样设计的目的，有什么优点

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qq543592229
DSG_IN是放电控制信号输入，CHG_IN是充电信号输入，MOS_D是放电MOS控制信号，MOS_C是充电MOS控制信号  发表于 2018-1-27 19:12
 楼主| qq543592229 发表于 2018-1-28 10:58 | 显示全部楼层
qq543592229 发表于 2018-1-27 18:08
这个图有问题。

输入信号是这样的

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xch
任意一个Vcell_x> Vod_x,关闭MOSFET 开关。 是保护电路。  发表于 2018-1-28 12:55
qq543592229
三极管的工作原理和运用我都不熟悉，现在在加紧补习  发表于 2018-1-28 11:00
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