又扯不清了，大家来投票：这个场效应管

发表于 2011-10-6 23:59

各位能否说说选3或4的原因....？

发表于 2012-6-28 09:29

第四

发表于 2012-6-28 09:44

D和S，一直傻傻分不清楚。
-- 所以，一直当三极管认（寄生二极管都是反向的），NPN管;P

发表于 2012-6-28 11:53

果断选四。正好看到这里。电子学书上这样写的。也是这样画的。。:lol

发表于 2012-6-28 13:48

其实有微电子知识还是很容易知道的，一般都是S极和衬底做在一起的，所以控制沟道开断的本来应该是G极对衬底电压，可以写成VGS

发表于 2012-6-28 15:43

这是问题么？

发表于 2012-6-30 19:46

狂晕什么水准

发表于 2012-7-1 14:21

依据国标《GB/T4728》此管为“增强型，单栅，N沟道和衬底与源极在内部连接的绝缘栅场效应半导体管
但是！！！此图的栅极绘制不符标准

发表于 2014-8-5 16:53

分呢？

发表于 2015-7-4 16:25

是第4个啊

发表于 2015-7-21 01:15

既然挖了坟，就选一下吧。

其实有些人画图经常乱用符号。

登录 · 发表于 2015-9-29 17:16

本帖最后由 oldzhang 于 2015-9-29 17:19 编辑

挖出老帖了，难怪扯不清楚呢，IRF3315的资料里面找不到管脚排列

发表于 2016-2-26 09:46

G投错了不太好吧～

发表于 2016-6-28 18:00

楼主，你想表达的是什么，错与不错，是要看你的功能的。

发表于 2016-8-2 17:11

还好选得4

发表于 2016-8-2 17:17

MOS由衬底指向沟道的位NMOS，反之；Nmos电流是从D-S,体二极管防止反向高压，故有S极与二极管阳极相连，PMOS反之。

发表于 2016-8-2 17:19

看到这种有实力的投票，我只能夹着尾巴逃走了。

发表于 2016-8-3 09:40

有人投选项3可以理解是n沟道p沟道记混了，但选其他的也太过分了吧

发表于 2016-8-3 10:50

这有意思吗？

发表于 2016-8-30 11:29

源极接衬底。

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