本帖最后由 尕飞508 于 2011-7-5 10:28 编辑
28# yuanchsh
首先非常谢谢您的耐心指教,您完全知道我到底是在问什么(看来我目前阶段理解的高手需要重新定义一下,那就是能正真了解我们这些个晚辈到低在问什么并且能一针见血的把问题给正解掉,呵呵...),看了您在28贴的回复,我已经明白得差不多了,但还是有以下疑问:
1>从这一步开始,VR3=1.5V,Vb=1.5V+0.35V=1.85V,您这步中的Vbe设定的是0.35V我有点理解不过来,因为在我一直的理解中,一般硅管Vbe=0.6-0.7V,锗管Vbe=0.2-0.3V,您的Vbe为什么是设定在0.35V? 还是说9014的Vbe只要设定在1V(我看的规格书中标的Vbe最大1V)以内都可以,随便怎么设都行吗? 还是说硅管Vbe在0.3V-0.6V以内是放管,0.6V以上开始饱和导通的原因而您将其设定在0.35V的?
2>R1(接在b-c之间)=(7.5V-1.85V)/10^-5=565K,您这样算是不加R2的情况下而得到的是吗?(电路的接法如图所示)
3>如果我还是按我第一贴中的电路接法及AV=5,VCC=15V来计算R1与R2,那么R2=Vb/100uA=1.85/100uA=18.5K(按您的计算IB=0.002/200=10uA,因书中提到一般需要将Ib设定在比计算值大10倍以上,为什么一定需要比计算值大10倍以上?).R1=VCC-Vb/Ib=15V-1.85V/100uA=131.5K,我这样算R1与R2对吗?
我真的很想搞懂,希望您能再次指教,先谢了!
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