本帖最后由 苏山人家 于 2018-3-16 18:31 编辑
最底层的结构不同,造成他俩擦写方式也是不同的,EEPROM可以支持字节擦写,flash一般都是扇区擦出。
另外因为结构的不同读,擦,寿命,价格一般来说
读,擦:flash/扇区 EEPROM/byte
价格:flash便宜,EEROM贵
寿命:flash/10w EEPROM/100w
写:flash/页 EEPROM/Byte
不过无论什么,再操作的时候都要考虑擦写均衡,当然如果数据更新速率小就无所谓了
因为现在的MCU都带有flash,和IAP功能,所以一般都是用flash模拟EEPROM,只要考虑均衡,其实差不多的
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