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[电路/定理]

mos管关断下降沿缓慢

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楼主: 佪佪
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21楼
lihui567| | 2018-3-5 09:43 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
fzyuan 发表于 2018-3-3 16:40
楼主给的电路应该可以在ms以下的时间就可以关断了。
但是从示波器看到的波形分析，楼主所谓“负载”部分应 ...

这样就加快mos管快速关断

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22楼
caijie001| | 2018-3-5 09:53 | 只看该作者
佪佪 发表于 2018-3-3 15:56
这个电路的后面是个设备，做这个电路的原因是想设备跑机时间久了能够彻底的切断电源重启一下
如果我把这 ...

这样子是正常吧，你待机的电流消耗太小，下降缓慢是正常的，你可以加大负载啊

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23楼
xmar| | 2018-3-5 10:45 | 只看该作者
11楼是对的。不用漏极串联电阻。其实就是推挽输出，参见下图：


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24楼
taoest| | 2018-3-5 12:08 | 只看该作者
xmar 发表于 2018-3-5 10:45
11楼是对的。不用漏极串联电阻。其实就是推挽输出，参见下图：

你这个推挽输出电路，会死得很惨的。
在切换过程中，两个MOS管会同时导通，VCC上的电流极大

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25楼
zyj9490| | 2018-3-5 12:22 | 只看该作者
本帖最后由 zyj9490 于 2018-3-5 12:23 编辑
xmar 发表于 2018-3-5 10:45
11楼是对的。不用漏极串联电阻。其实就是推挽输出，参见下图：

不妨在栅极回路各加一个二极管和电阻。达到关闭快，开启慢的功能，以防上下轨电源短路。

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26楼
佪佪|  楼主 | 2018-3-5 13:44 | 只看该作者
HWM 发表于 2018-3-3 16:36
那是你负载呈现明显的“容性”。如果对下降时间不敏感可以忽略这个问题。
...

不敏感，就是重启，顶多就是按键多按会儿

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27楼
佪佪|  楼主 | 2018-3-5 13:46 | 只看该作者
xiaxingxing 发表于 2018-3-3 21:07
直接MOS管的D级直接拉一个电阻到地作为放电回路可以吗？？

这个我试过没用，不会改变波形

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28楼
佪佪|  楼主 | 2018-3-5 13:47 | 只看该作者
stalker张 发表于 2018-3-4 21:05
加一个泄放二极管

怎么加，在那个地方加啊

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29楼
佪佪|  楼主 | 2018-3-5 13:48 | 只看该作者
icecut 发表于 2018-3-4 22:43
你们不觉得 r9 100k 是胡乱选的么?

这个真不是，一般情况下是应该加10k，但是我的设备需要很严格的待机功耗，所以好多地方的待机消耗都是需要控制的

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30楼
佪佪|  楼主 | 2018-3-5 13:51 | 只看该作者
fzyuan 发表于 2018-3-3 16:40
楼主给的电路应该可以在ms以下的时间就可以关断了。
但是从示波器看到的波形分析，楼主所谓“负载”部分应 ...

如果不接我后级的设备，这个电路的关断完全是没问题的
您说的没错，我的后级设备电源上有个220uf的电解电容，而且这个现象只出现在待机的状态下（负载电容大，电流小），正常工作重启是没问题的
您的这个方案是让我在额外增加一个nmos管吗

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31楼
佪佪|  楼主 | 2018-3-5 13:53 | 只看该作者
fzyuan 发表于 2018-3-3 16:40
楼主给的电路应该可以在ms以下的时间就可以关断了。
但是从示波器看到的波形分析，楼主所谓“负载”部分应 ...

您额外增加的 这个mos管是为了卸放用的是把，那么和直接在D加一个对地的电阻有什么区别呢

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32楼
zyj9490| | 2018-3-5 15:09 | 只看该作者
佪佪 发表于 2018-3-5 13:53
您额外增加的 这个mos管是为了卸放用的是把，那么和直接在D加一个对地的电阻有什么区别呢
...

待机时会增加功耗，而且电阻选得过大，没有作用，选得过小，增加功耗。还不如加一个开关管。

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33楼
icecut| | 2018-3-5 15:33 | 只看该作者
佪佪 发表于 2018-3-5 13:48
这个真不是，一般情况下是应该加10k，但是我的设备需要很严格的待机功耗，所以好多地方的待机消耗都是需 ...

连maychang老爷子都说你胡乱选了,你还不承认,低功耗是换个大电阻就搞定了,那你为啥不用1M的.....

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34楼
xygyszb| | 2018-3-5 16:13 | 只看该作者
xmar 发表于 2018-3-5 10:45
11楼是对的。不用漏极串联电阻。其实就是推挽输出，参见下图：

通过Q3对地短路来释放后端电容储存的能量？为什么要这么做？
图中这个电路肯定是不行滴！

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35楼
老陆693| | 2018-3-6 11:57 | 只看该作者
晚上四点不让回帖，打了半天字没了……。
你要确定是开关不干脆还是输出电容过大造成的，很简单，你一个船形开关代替MOS管，看看波形是不是漂亮了。
如果是输出电容的原因，加一个可控假负载，注意打开时间要比开关慢一些，否则你懂。
另外，这个电路关断的时候，因为MOS管极间电容存在，相当于MOS的GS极电容通过R9放电完结才能完全关断，解决方法1：减小R9的值，但是会增加打开时的功耗；解决方法2：MOS管加图腾驱动，缺点是增加成本和电路板面积。

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36楼
fzyuan| | 2018-3-6 15:32 | 只看该作者
佪佪 发表于 2018-3-5 13:53
您额外增加的 这个mos管是为了卸放用的是把，那么和直接在D加一个对地的电阻有什么区别呢
...

是的，就是为了加速放电。
如果直接在D极加一个对地电阻，那么在上电状态会一直消耗电能，而另加MOSFET之后，只在下电时才接入这只放电电阻。

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37楼
fzyuan| | 2018-3-6 15:33 | 只看该作者
xygyszb 发表于 2018-3-5 16:13
通过Q3对地短路来释放后端电容储存的能量？为什么要这么做？
图中这个电路肯定是不行滴！ ...

不要靠猜，
拿出纸笔分析计算一下，然后告诉大家。

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38楼
fzyuan| | 2018-3-6 15:42 | 只看该作者
maychang 发表于 2018-3-4 23:04
我觉得R9＝100k是胡乱选定的。

也许楼主确实是胡乱选的，但如此慢速的关断与此无关。

100k的R9算不算大？

AO3415栅极对其他的总电容约1000pF，那么结合100k电阻，其时间常数为100us，
3倍时间常数的时间应该足以使MOS的Vgs电压达到关断要求了，
那么也就300us的延迟，而期间的线性区时间则更短。

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39楼
fzyuan| | 2018-3-6 15:45 | 只看该作者
xmar 发表于 2018-3-5 10:45
11楼是对的。不用漏极串联电阻。其实就是推挽输出，参见下图：

在一定条件下，没有串联电阻也是可行的。
Q3的导通电阻必须足够大。
或者R3足够小，但这一点不符合低功耗设计。

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40楼
fzyuan| | 2018-3-6 15:48 | 只看该作者
佪佪 发表于 2018-3-5 13:51
如果不接我后级的设备，这个电路的关断完全是没问题的
您说的没错，我的后级设备电源上有个220uf的电解电 ...

220uF？
感觉你的“待机电流”将近1mA了。

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