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有带欠压保护的LDO或者DC/DC推荐吗

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楼主: 奔跑Robin
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奔跑Robin|  楼主 | 2018-5-5 11:18 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
chunyang 发表于 2018-5-3 11:20
输出电压上升斜率与调节率相关,本质的解决方法不是去找高上升斜率的LDO,更不是什么“带欠压保护”,概念 ...

谢谢你的建议,请问有什么推荐型号吗。

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pmw_56| | 2018-5-5 12:34 | 只看该作者
开启MCU的 LDR 低压检测复位功能就搞定了

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chunyang| | 2018-5-5 14:27 | 只看该作者
奔跑Robin 发表于 2018-5-5 11:18
谢谢你的建议,请问有什么推荐型号吗。

这个你只能自己去大量查手册,不过前面我也说了,根本性的解决办法不是找特殊的器件而是应通过适当的电路设计来解决。

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hbzyw2009| | 2018-5-6 12:13 | 只看该作者
不建议使用LM1117,现在这颗料有很多的仿品,而且厂商为了节省成本,晶圆缩水严重,工艺大不如前,发热严重
参考一下MPS的电源芯片,MP2015A(LDO)或者小封装的MP1601(DC)
MPS代理商技术销售,可以QQ交流:  624081694 MP2015A_r1.0.pdf (1.76 MB)
MP1601_r1.0.pdf (688.32 KB)

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奔跑Robin|  楼主 | 2018-5-6 20:09 | 只看该作者
谢谢 @chunyang and @hbzyw2009,我们先尝试一下看看。

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chunyang| | 2018-5-7 16:57 | 只看该作者
hbzyw2009 发表于 2018-5-6 12:13
不建议使用LM1117,现在这颗料有很多的仿品,而且厂商为了节省成本,晶圆缩水严重,工艺大不如前,发热严重 ...

对于LDO的主要发热原因与“圆晶缩水严重”无关,而是由输入输出压差和输入电流共同决定,这是物理规则决定的。工艺制程的进步(这可不能说“工艺大不如前”,事实上恰恰相反)会导致IC尺寸的减小,同样耗散功率下会导致热量更加集中,在封装不做出相应改进或采取适当外部措施降低热阻的情况下,相对于过去尺寸更大的老工艺芯片,新工艺芯片的带载能力会有所下降。不弄清原委,差之毫厘,谬以千里。

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