2KW 48V-400V双向DCDC 全桥MOSFET Vds=2VBUS,请各位前辈指点。

只看该作者 · 2018-6-30 09:54

使用TI参考设计TIDA-00951 2KW 48V-400V双向DC/DC做产品开发，在测试降压时，发现如下问题：
测试条件：高压侧VBUS=24VDC，低压侧VBAT加200Ω电阻假负载，两边全桥均是对角线相同驱动（纯全桥硬开关，Q6和Q8同时开关，Q9和Q7同时开关），高压侧H桥Q6~Q9提供驱动，低压侧Q1~Q5暂未提供驱动（暂未使用全控整流），开关频率f=100khz。
附上TIDA-00951原理图和链接：http://www.ti.com.cn/tool/cn/tida-00951?keyMatch=TIDA-00951&tisearch=Search-CN-Everything

Q1：调节Q6~Q9的占空比从3%~35%，发现低压侧输出电压并未随着占空比的增大而增大，为何？
Q2：在Q6和Q8开通瞬间，Q9漏源极电压出现2倍于VBUS的电压尖峰，为何？管子漏源极尖峰不应该是在本体关断瞬间产生的吗？
Q3：当撤去VBUS上的电压时，驱动都是很完美的（Vgs从0上升到12V消耗40ns，并且无振铃），当在VBUS上施加50VDC电压后，桥臂Q6~Q9每个管子的驱动上升段均出现了振铃，而且幅度很大，Vgs几乎下降到0V，为何？

Q4：为测试降压时变压器原边线圈电流，将变压器12/13脚到桥臂Q7/Q8的走线割断并串联一个100Ω电阻RL，测量RL两端电压发现，变压器原边电流在电流反向时发生震荡，为何？

2万 · 2018-6-30 18:11

Q1：调节Q6~Q9的占空比从3%~35%，发现低压侧输出电压并未随着占空比的增大而增大，为何？

为什么一定要随着占空比增加而增加？从占空比3-35，变压器低压侧峰值电压都没有变，输出整流电压怎么会变？

Q2：在Q6和Q8开通瞬间，Q9漏源极电压出现2倍于VBUS的电压尖峰，为何？管子漏源极尖峰不应该是在本体关断瞬间产生的吗？

估计你的测试方法的问题

Q3：当撤去VBUS上的电压时，驱动都是很完美的（Vgs从0上升到12V消耗40ns，并且无振铃），当在VBUS上施加50VDC电压后，桥臂Q6~Q9每个管子的驱动上升段均出现了振铃，而且幅度很大，Vgs几乎下降到0V，为何？

可能的原因1）测试方法2）PCB设计

Q4：为测试降压时变压器原边线圈电流，将变压器12/13脚到桥臂Q7/Q8的走线割断并串联一个100Ω电阻RL，测量RL两端电压发现，变压器原边电流在电流反向时发生震荡，为何？

需要更多的信息，比如，你测试使用的什么采样电阻，不要说多少欧姆，是材质；2）为什么选这么大