关于AHB与APB在我的内核架构一文中有描述,再此不加说明。
你把这几部分放到一个程序中完全可以运行
I/O管脚的I状态可由软件独立地配置为输入,推挽式的输出,开漏或准双向模式。复位之后,所有管脚的模式取决于CIOIN (CONFIG0[10])的设置。
每个I/O管脚有一个阻值为110K~300K的弱上拉电阻接到VDD 上,VDD范围从5.0 V 到2.5 V。
首先我们来看上拉电阻与下拉电阻: 两者共同的作用是:避免电压的“悬浮”,造成电路的不稳定;
一、上拉电阻如图所示 1、概念:将一个不确定的信号,通过一个电阻与电源VCC相连,固定在高电平;
2、上拉是对器件注入电流;灌电流;
3、当一个接有上拉电阻的IO端口设置为输入状态时,它的常态为高电平;
二、下拉电阻如图所示: 1、 概念:将一个不确定的信号,通过一个电阻与地GND相连,固定在低电平; 2、下拉是从器件输出电流;拉电流;
3、当一个接有下拉电阻的IO端口设置为输入状态时,它的常态为低电平;
要理解推挽输出,首先要理解好三极管(晶体管)的原理。下面这种三极管有三个端口,分别是基极(Base)、集电极(Collector)和发射极(Emitter)。 下图是NPN型晶体管。
这种三极管是电流控制型元器件,注意关键词电流控制。意思就是说,只要基极B有输入(或输出)电流就可以对这个晶体管进行控制了。 下面请允许我换一下概念,把基极B视为控制端,集电极C视为输入端,发射极E视为输出端。这里输入输出是指电流流动的方向。
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当控制端有电流输入的时候,就会有电流从输入端进入并从输出端流出。
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而PNP管正好相反,当有电流从控制端流出时,就会有电流从输入端流到输出端。
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那么推挽电路:
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上面的三极管是N型三极管,下面的三极管是P型三极管,请留意控制端、输入端和输出端。 当Vin电压为V+时,上面的N型三极管控制端有电流输入,Q3导通,于是电流从上往下通过,提供电流给负载。 经过上面的N型三极管提供电流给负载(Rload),这就叫「推」 当Vin电压为V-时,下面的三极管有电流流出,Q4导通,有电流从上往下流过。 经过下面的P型三极管提供电流给负载(Rload),这就叫「挽」。 以上,这就是推挽(push-pull)电路。
那么什么是开漏呢?这个在我答案一开头给出的「网上资料」里讲得很详细了,我这里也简单写一下。 要理解开漏,可以先理解开集。 如图,开集的意思,就是集电极C一端什么都不接,直接作为输出端口。 如果要用这种电路带一个负载,比如一个LED,必须接一个上拉电阻,就像这样。 当Vin没有电流,Q5断开时,LED亮。 当Vin流入电流,Q5导通时,LED灭。 开漏电路,就是把上图中的三极管换成场效应管(MOSFET)。 N型场效应管各个端口的名称: 场效应管是电压控制型元器件,只要对栅极施加电压,DS就会导通。 结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大,这意味着:没有电流从控制电路流出,也没有电流进入控制电路。没有电流流入或流出,就不会烧坏控制电路。而双极型晶体管不同,是电流控制性元器件,如果使用开集电路,可能会烧坏控制电路。这大概就是我们总是听到开漏电路而很少听到开集电路的原因吧?因为开集电路被淘汰了。
1、开漏
全部名字是,内部mos管漏极开路(也可理解为晶体管集电极开路)。输出引脚只有对地低阻抗以及高阻态两种模式。 2、推挽
内部有上下两个mos(或晶体管),输出引脚有对VCC低阻抗以及对地低阻抗两种模式。 下面付一个无脑版的,用开关代替晶体管或MOS管。等效电路。 1. 推挽输出能够输出高或者低,而开漏输出只能输出低,或者关闭输出,因此开漏输出总是要配一个上拉电阻使用。
2. 开漏输出的上拉电阻不能太小,太小的话,当开漏输出的下管导通时,电源到地的电压在电阻上会造成很大的功耗,因此这个电阻阻值通常在10k以上,这样开漏输出在从输出低电平切换到高电平时,速度是很慢的。
3. 推挽输出任意时刻的输出要么是高,要么是低,所以不能将多个输出短接,而开漏输出可以将多个输出短接,共用一个上拉,此时这些开漏输出的驱动其实是与非的关系。
4. 推挽输出输出高时,其电压等于推挽电路的电源,通常为一个定值,而开漏输出的高取决于上拉电阻接的电压,不取决于前级电压,所以经常用来做电平转换,用低电压逻辑驱动高电压逻辑,比如3.3v带5v。
单片机的几种IO口配置
在单片机学习、开发和应用中,IO口的配置对功能的实现起着重要的作用,下面介绍常见的四种配置,而现在很多单片机都兼有这四种配置,可供选择。
一.准双向口配置
如下图,当IO输出为高电平时,其驱动能力很弱,外部负载很容易将其拉至低电平。当IO输出为低电平时,其驱动能力很强,可吸收相当大的电流。
准双向口有三个上拉晶体管,一个“极弱上拉”,当端锁存器为逻辑“1”时打开,当端口悬空时,“极弱上拉”将端口上拉至高电平。
第二个上拉晶体管为“弱上拉”,当端口锁存器为逻辑“1”且端口本身也为“1”时打开,此上拉提供的电流,使准双向口输出为“1”。如果此时端口被
外部装置拉到逻辑“0”时,通过施密特触发器,控制“弱上拉”关闭,而“极弱上拉”维持开状态,为了把这个端口拉低,外部装置必须有足够的灌电流能力,使
管脚上的电压,降到门槛电以下。
第三个上拉晶体管为“强上拉”,当端口锁存器由“0”跳变到“1”时,这个上拉用来加快端口由逻辑“0”到逻辑“1”的转换速度。
准双向口做为输入时,通个一个施密特触如器和一个非门,用以干扰和滤波。
准双向口用作输入时,可对地接按键,如下图1,当然也可以去掉R1直接接按键,当按键闭合时,端口被拉至低电平,当按键松开时,端口被内部“极弱上
拉”晶体管拉至高电平。当端口作为输出时,不应对地外接LED如图形控制,这样端口的驱动能力很弱,LED只能发很微弱的光,如果要驱动LED,要采用图
3的方法,这样准双向口在输出为低时,可吸收20mA的电流,故能驱动LED。图4的方法也可以,不过LED不发光时,端口要吸收收很大电流。
二.开漏输出配置 这种配置,关闭所有上拉晶体管,只驱动下拉晶体管,下拉与准双向口下拉配置相同,因此只能输出低电平(吸收电流),和高阻状态。不能输出高电平(输也电流)。如果要作为逻辑输出,必须接上拉电阻到VCC。这种配置也可以通过上图3和图4来驱动LED。
三.推挽输出配置
这种配置的下拉与准双向口和开漏配置相同,具有较强的拉电流能力,不同的是,具有持续的强上拉。因此可以用上图2的方法来驱动LED。
四.仅为输入配置(高阻配置)
这种配置不能输出电流,也不能有收电流,只能作为输入数据使用。
以上四种配置各有其特点,在使用中应根据其特点灵活运用。
准双向口的最大特点是既可以作为输入,也可以作为输出,不需要通过控制切换。
推挽输出的特点是,无论输也高电平还是低电平都有较大的驱动能力,在输也高电平时,也能直接点亮LED,这在准双向口中是不能办到的。这种配置不宜作为输入,因为这需要外部设备有很强的拉电流的能胃。
仅为输入配置的特点是端口只能作为输入使用,可以获得很高的输入阻抗,在有模拟比较器或ADC的端口中用得较多。
开漏输出配置与准又向口相似,但内部没有上拉电阻。有很好的电气兼容性,外部接上拉电阻到3V电源,就能和3V逻辑器件连接。外部接上拉电阻到5V电源,就要以和5V器件连接。
需要说明的是以上四种配置均可以作为输入,也就是都可以检测端的逻辑状态,但其特性不同,不是每种配置都可以直接接按键
就讲到这里,其实这就是I/O口的输入输出模式,具体看程序就可以清楚明白了 GPIO_SetMode(PC, BIT7, GPIO_MODE_OUTPUT);//#define GPIO_MODE_OUTPUT 0x0UL /*!< Input Mode */ 设置成为了输出模式,之后我们在来看,这个函数的具体功能
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