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*
* 实验名称:FLASH操作
* 实验平台:NV32开发板
* 板载芯片:NV32F101FL64E
* 实验效果:使用FLASH模拟EEPROM,实现字节的编程
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************************************************************************/
#include "common.h"
#include "rtc.h"
#include "flash.h"
#include "sysinit.h"
#include "eeprom.h"
int main (void);
/********************************************************************/
int main (void)
{
char ch;
uint32_t i;
uint8_t u8DataBuff[512];
sysinit();
printf("\nRunning the Flash_demo project.\n");
LED0_Init();
LED2_Init();
Flash_Init();
/*对FLASH第60个扇区进行擦-读-写 */
/* 擦除第60个扇区*/
Flash_EraseSector(60*FLASH_SECTOR_SIZE);
for(i=0;i<512;i++)
{
u8DataBuff[i] = (uint8_t)i;
}
/*向擦除的扇区写入数据*/
Flash_Program(60*FLASH_SECTOR_SIZE,&u8DataBuff[0],512 );
for( i=0;i<512/16;i++ )
{
for(ch =0;ch<16;ch++)
{
printf("0x%x,",*((uint8_t *)(i*16+ch+60*FLASH_SECTOR_SIZE)));
}
printf("\n");
}
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*
* EEPROM 使用范例
* EEPROM 第一次使用前,可以先erase,这样可以提高写的效率
* 一次只能写一个双字,如果写byte,可以先处理一下然后写
* 小于10byte,单独调用EEPROM_Write 效率可能更高,EERPOM_Writeup4byte建议在写比较长数据时使用
*
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EEPROM_Erase(0x00);
EEPROM_Erase(0x200); //建议在最开始进行erase 初始化,提高效率
for(i=0;i<256;i++)
{
EEPROM_Write(4*i,1024-4*i);
}
//任意位置再写一个
EEPROM_Write(24,0x55aa);
EEPROM_Write(68,0xaa55);
EEPROM_Write(128,0x3fec);
EEPROM_Write(156,0xccbb);
EEPROM_Write(256,0xbbcc);
EEPROM_Write(264,0xccdd);
EEPROM_Write(300,0x3fff);
EEPROM_Write(512,0x5f5f);
EEPROM_Write(900,0x9f9f);
for(i=0;i<256;i++)
{
printf("adr:%d =0x%x \n",4*i,EEPROM_Read(4*i));
}
//批量写
printf("/***************************批量测试**************************/ \n");
//跨界的写,1-2个sector的写
EERPOM_Writeup4byte(340,u8DataBuff,512);
//byte写,byte读取
printf("/***************************byte写测试**************************/ \n");
EEPROM_WriteByte(132,0x13);
printf("adr :132 =0x%x \n",EEPROM_Read(132));
EEPROM_WriteByte(132,0x14);
printf("adr :132 =0x%x \n",EEPROM_Read(132));
EEPROM_WriteByte(132,0x12);
printf("adr :132 =0x%x \n",EEPROM_ReadByte(132));
EEPROM_WriteByte(132,0x15);
printf("adr :132 =0x%x \n",EEPROM_ReadByte(132));
while(1)
{
}
}
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