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驱动电机功率级最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散热性能好、保护可靠、峰值电流承载能力强。尺寸小，可在工具内实现灵活的功率级安装、更好的电路板布局性能和低成本设计。效率高，则可最大限度地延长电池寿命并减少冷却操作。可靠的操作和保护可延长使用寿命，有助于提高产品声誉。 为在两个方向上驱动BDC电机，您需要使用两个半桥（四个金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET））组成一个全桥。而要驱动三相BLDC电机，则需要使用三个半桥（六个MOSFET）组成一个三相逆变器。 凭借TI采用堆叠管芯架构的CSD88584Q5DC和 CSD88599Q5DC功率块（小型无引线（SON），5mm×6mm封装），您可以分别通过两个功率块在两个方向驱动BDC电机，并通过三个功率块驱动三相BLDC电机，如图1所示。每个功率块连接两个MOSFET（高侧和低侧MOSFET），组成一个半桥。
图 1：不同电机驱动拓扑中的功率块MOSFET 我们来看看这些功率块可带给无绳工具电机驱动子系统设计的优势。 功率密度倍增 CSD885x功率块中的双重堆叠芯片技术使印刷电路板（PCB）面积达到了之前的两倍，与分立MOSFET相比，PCB占地面积减少了50%。 与同性能级别的分立MOSFET（5mm×6mm）相比，在同一封装中集成两个FET的功率块可让用于三相逆变器拓扑的PCB面积减少90mm2（3 x 5mm x 6mm）。MOSFET互连轨道将在带分立MOSFET的PCB中运行，而更高的工作电流也要求具有更宽的PCB轨迹，因此PCB尺寸的减少量实际上远超 90mm2。大多数无绳电动工具应用至少使用四层PCB，铜厚度大于2盎司。因此，通过功率块减小PCB尺寸可大大节省PCB的成本。 具有低寄生效应的清洁MOSFET开关 图2所示为功率级PCB设计中由元件引线和非优化布局产生的寄生电感和电容。这些PCB寄生效应会导致电压振铃，进而在MOSFET上产生电压应力。 [url=https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/communityserver-blogs-components-weblogfiles/00-00-00-01-24/I.S._5F00_Parasitic-inductance-and-capacitance-in-a-power-stage-half-bridge.JPG_2D00_1230x0.jpg] 图 2：功率级半桥中的寄生电感和电容 出现振铃的原因之一是二极管反向恢复。由快速开关引起的高电流变化率会导致出现高二极管反向恢复电流。反向恢复电流流经寄生布局电感。由FET电容和寄生电感形成的谐振网络引起相位节点振铃，减少了电压裕度并增加了器件的应力。图3所示为由于电路寄生效应引起的具有分立MOSFET的相位节点电压振铃。 图 3：具有分立MOSFET的相位节点电压振铃和电压过冲
使用功率块时，具有连接两个MOSFET的开关节点夹将高侧和低侧MOSFET之间的寄生电感保持在绝对最小值。在同一封装中使用低侧和高侧FET可最大限度地减少PCB寄生，并减少相节点电压振铃。 使用这些功率块有助于确保平滑的驱动MOSFET开关，即使在电流高达50A时也不会出现电压过冲，如图4所示。 [url=https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/communityserver-blogs-components-weblogfiles/00-00-00-01-24/I.S._5F00_Clean-phase_2D00_node-switching-waveform-with-power-blocks.JPG_2D00_1230x0.jpg]
图 4：带有功率块的清洁相位节点开关波形 低PCB损耗，PCB寄生电阻降低 功率块有助于减小PCB中高电流承载轨道的长度，从而减少轨道中的功率损耗。 让我们来了解一下分立FET的PCB轨道要求。顶部和底部分立MOSFET之间的PCB轨道连接会使PCB中出现I2R损耗。图5所示为将顶部和底部分立MOSFET并排连接时的铜轨道；这是可将电机绕组轻松连接到PCB的常见布局之一。连接相位节点的铜面积的长度为宽度的两倍（轨道宽度取决于电流，且轨道宽度通常受电路板的外形尺寸限制）。或者，您可以上下排列顶侧和底侧的分立MOSFET，使相位节点处于MOSFET之间。但是由于需要将电机绕组连接到相位节点，您可能无法缩短轨道长度，并且这种布置可能不适合所有应用。 若设计的PCB铜厚度为2 oz（70μm），则连接图5所示相位节点的单层PCB轨道将具有约0.24mΩ的电阻。假设轨道位于两个PCB平面中，则等效PCB电阻为0.12mΩ。对于三相功率级，您有三个这样的PCB轨道。您也可对直流电源输入和返回轨道进行类似的分析。 功率块具有单个封装中的顶侧和底侧MOSFET，以及通过封装内的金属夹连接的相位节点，可优化寄生电阻，为布局提供灵活性，并可节省最小的0.5至1mΩ的总PCB电阻。 图 5：具有分立MOSFET的典型相位节点轨道长度 卓越的散热性能，双重冷却 CSD885x功率块采用DualCool™封装，可在封装顶部实现散热，从而将热量从电路板上散开，提供出色的散热性能，并提高在5mm×6mm封装中可消耗的功率。根据数据表规范，功率块具有1.1°C/W的结到底部壳体热阻，和2.1°C/W的结到顶部壳体热阻。您可以优化功率块底壳的PCB或功率块顶盖的散热片的冷却功能。图6所示为在1kW，36V三相逆变器PCB（36mm×50mm）内使用三个[url=http://www.ti.com/product/cn/CSD88599Q5DC]CSD88599Q5DC双冷60V功率块测试的顶侧共用散热器（27mm×27mm×23mm）的结果，不带任何气流。在测试期间，散热器和功率块顶壳之间使用具有低热阻抗（Rθ<0.5°C/W）的电绝缘热接口。
[url=https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/communityserver-blogs-components-weblogfiles/00-00-00-01-24/I.S._5F00_Thermal-image-of-the-board-showing-effective-top_2D00_side-cooling.JPG_2D00_1230x0.jpg][/url] 图 6：显示有效顶侧冷却的电路板的热像 在图6中，您可看到顶侧冷却的有效性，其中在PCB上观察到的最高温度（功率块底壳之下）与散热器温度之间的差异小于11°C。热量传导良好，并通过功率块顶部冷却金属焊盘分配到顶侧散热器。 顶侧和底侧FET之间的热量共享 在单相或三相逆变器中，顶侧和底侧MOSFET的损耗可能有所不同。这些损耗通常取决于脉宽调制拓扑的类型和工作占空比。不同的损耗会导致顶侧和底侧MOSFET的加热不同。在系统设计中使用分立MOSFET时，可以尝试这些不同的方法来平衡顶侧和底侧FET之间的温度： - 为MOSFET使用不同的冷却区域，并为具有更大损耗的MOSFET提供更多的PCB铜面积或散热器。
- 根据其额定电流，为顶侧和底侧的MOSFET使用不同的器件。例如，您可使用具有较小导通状态导通电阻（RDS_ON）的器件，用于承载更多电流的MOSFET。
视工作占空比而定，当MOSFET变热时，这些方法不会起到最佳冷却效果，导致PCB面积或MOSFET额定值利用不足。使用功率块MOSFET，其中顶侧和底侧MOSFET处于同一封装中，可以在顶侧和底侧MOSFET之间自动实现热共享，并提供更好的热性能和优化的系统性能。 系统成本低 可通过在设计中使用功率块MOSFET来优化系统成本。如果本博文中所述的所有优势均达成的话，即可降低成本： - 将解决方案的尺寸减半，大大降低PCB成本。
- 低寄生效应可实现更可靠的解决方案，在延长寿命的同时减少维护。
- 缩短PCB轨道长度可降低PCB电阻，从而通过较小的散热器降低损耗，提高效率。
- 卓越的热性能可提高冷却效果。
MOSFET功率块有助于实现更可靠、更小、高效和具有成本竞争力的系统解决方案。
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