谢谢指导。
再请教一下，您这里的RL是对应我1楼的图，指负载电阻对吧？
1，那么Rmos应该是指D和S之间的导通电阻，这个电阻越大，就意味着RL上的电压会偏离Vdd越多。
如果负载对电压的要求比较高，那应该选择导通电阻尽量小的管子，对吧？
2，G极也应该类似三极管的b极，串联一个电阻再接到信号，这个电阻的计算思路应该是怎样呢？我看网上很多例子都是用1K的电阻。
3，看网上的例子，G极都会接一个上拉（P MOS）或下拉（N MOS）电阻，大多是10K，请问这个电阻的计算思路又是如何呢？
不好意思，问题有点多。刚刚开始把三极管搞懂一点，MOS真是没搞过。
再次谢谢您!
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楼主
