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用N76E003flash做eeprom用什么方法保存一个计数的数据累加到数千万

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楼主
Q80351951|  楼主 | 2019-2-23 13:19 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
EEPROM, EPROM, flash, ROM, N76E003
flash擦写次数有限，用N76E003flash做eeprom用什么方法保存一个计数的数据累加到数千万。

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沙发
zhuotuzi| | 2019-2-23 13:36 | 只看该作者
FMC?有个例子啊，你下BSP

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板凳
zhuotuzi| | 2019-2-23 13:37 | 只看该作者
这个单片机是可以储存数据的，累加到数千万，是不是数据很大，你可以分开存

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地板
LED吴生| | 2019-2-23 14:02 | 只看该作者
定义区段  每一万次后移动固定字节  

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Q80351951 2019-2-23 14:20 回复TA
方法还行，就是有点小，128字节计数640000. 
5楼
天灵灵地灵灵| | 2019-2-23 20:02 | 只看该作者
对定义个段，在这个段你可以循环存储，比如有4个位置可以存这个数据，然后当你需要保存的时候就存第一个位置，下次你清理掉第一个位置存在第二个位置，以此类推，这样就避免每次都擦写同一个位置。

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6楼
gx_huang| | 2019-2-23 20:30 | 只看该作者
别一棵树上吊死，这种场合，我一般是硬件设计时就考虑好了，加上掉电检测信号，滤波电容足够大，掉电时保存数据即可。
每个扇区可以擦写1万次，如果要求擦写几十万几百万，还可以考虑多个字节循坏保存，对于数千万，还是放弃这个土办法吧。

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7楼
643757107| | 2019-2-24 08:37 | 只看该作者
总之不要频繁的写就行了，另外不要总在一个位置擦写。

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8楼
zhuotuzi| | 2019-2-24 10:59 | 只看该作者
看你怎么规划了

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9楼
wx85105157| | 2019-2-25 19:59 | 只看该作者
flash擦除后是全部写1，只可以写0改不回去。那么1000bit就是125byte。003一页是128字节。前125字节写0到999，溢出后擦除一页，然后后面三字节递增。这样一页有10w次寿命的话就可以写1亿的数进去

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10楼
zhuomuniao110| | 2019-2-25 22:12 | 只看该作者
这个数据是需要每次都进行擦写吗

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11楼
zhuomuniao110| | 2019-2-25 22:12 | 只看该作者
如果不需要每次都擦写比较容易，断电前再写入就行

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