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<table class=ubb cellspacing=0><TR><td class=ubb><br />晶体二极管—特性和参数<br />出处：网络</td></TR></table><br /><B>一、二极管的特性<br /> </B>二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示：<table class=ubb cellspacing=0><TR><td class=ubb><img src="http://www.cdle.net/web/alldata/MCU/img/MCU060014_01.gif"></td></TR><TR><td class=ubb>图1 二极管的伏安特性曲线</td></TR></table><br /><B> 1、正向特性<br /> </B>在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。<br /><B> 2、反向特性<br /> </B>二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。<br /><B> 3、击穿特性<br /> </B>当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。<br /><B> 4、频率特性<br /> </B>由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
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