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三极管和MOS管哪个开关速率更快

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yclccs|  楼主 | 2011-9-22 21:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
chunyang| | 2011-9-22 22:08 | 只看该作者
没有具体型号的比较没有意义。

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sxdxy| | 2011-9-22 22:58 | 只看该作者
汽车和火车谁快?
有人可能立马说火车快,但是高速公路上汽车未必比火车慢。那还有高铁呢,可是汽车也有布加迪。这样比较意义不大
但是就集成电路上而言的话,应该是bipolar工艺能够做到更高的频率,忽略成本等其他因素

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地板
mcuisp| | 2011-9-22 23:06 | 只看该作者
LS所言差矣、、、
就分立器件而言,bipolar工艺频率更高。

但是对尖端的集成电路而言,MOS是唯一选择。
intel,amd的最新CPU,都是MOS工艺的。

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5
chunyang| | 2011-9-22 23:25 | 只看该作者
所以必须要有比较的前提,泛泛而言没有意义的。

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6
sxdxy| | 2011-9-23 00:00 | 只看该作者
本帖最后由 sxdxy 于 2011-9-23 00:05 编辑

4# mcuisp
No,no,no!你举的例子都是数字芯片,频率3GHz以下。目前但还有一大类IC是射频IC。
”但是对尖端的集成电路而言,MOS是唯一选择。”
这句话应该改为“对尖端的数字集成电路而言,CMOS是唯一选择”可能更对一些
那些数字IC之所以只能用CMOS是因为功耗和集成度以及成本的关系。
而RFIC很多是模拟的,集成的晶体管不是太多,有时候首先考虑的不是成本,而是能否实现,所以会用bipolar甚至GaAs工艺

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7
ghost1325| | 2011-9-23 07:16 | 只看该作者
童老的模电中提到过两者的速度差别:三极管快过MOS

但是MOS技术发展很快,此句话早已不适用,而且即使有快过的地方也应该加上条件限制
泛泛去谈谁快过谁,就相当于说电信快过网通 INTEL快过AMD

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8
maychang| | 2011-9-23 09:21 | 只看该作者
4楼所说,要看历史发展。
MOS工艺芯片,最初比双极型慢得多。典型的就是4000系列与74系列。4000系列功耗小,但速度可不行。后来发展了高速CMOS工艺,形成74HC系列,速度才和74系列差不多,功耗却小得多。不过,双极型工艺又有了新发展,比以前更快。
Intel的CPU是MOS工艺,那是因为集成度和功耗的关系。双极型可以更快,但发热受不了。

所以,chunyang说得对,泛泛而言没有意义的。

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9
mcuisp| | 2011-9-23 10:35 | 只看该作者
6楼所言也有道理

目前最快的集成电路不知到了几十G?

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10
rclong| | 2011-9-23 19:12 | 只看该作者
开关有多快应该是IBM才知道吧

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11
静海惊天| | 2011-9-23 21:09 | 只看该作者
.........................................................................

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12
qczq| | 2011-9-23 23:34 | 只看该作者
4# mcuisp
No,no,no!你举的例子都是数字芯片,频率3GHz以下。目前但还有一大类IC是射频IC。
”但是对尖端的集成电路而言,MOS是唯一选择。”
这句话应该改为“对尖端的数字集成电路而言,CMOS是唯一选择”可能更对 ...
sxdxy 发表于 2011-9-23 00:00



抬个杠:我用的CPU就是3.2GHz的,这个频率上,必须按照模拟电路来处理了

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13
yclccs|  楼主 | 2011-9-23 23:59 | 只看该作者
受教育,要看具体型号才能比较!!

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14
bbyeah| | 2011-9-24 05:15 | 只看该作者
本帖最后由 bbyeah 于 2011-9-24 15:36 编辑
6楼所言也有道理

目前最快的集成电路不知到了几十G?
mcuisp 发表于 2011-9-23 10:35

今年Razavi发表了一篇300GHz 基于65nm CMOS工艺的振荡器


Fundamental oscillators prove the existence of gain at high frequencies, revealing the speed limitations of other circuits in a given technology. This paper presents an oscillator topology that employs feedback from an output stage to the core, thus achieving a high speed. The behavior of the proposed oscillator is formulated and simulations are used to compare it with the conventional cross-coupled pair circuit. Three prototypes realized in 65-nm CMOS technology operate at 205 GHz, 240 GHz, and 300 GHz, each drawing 3.7 mW from a 0.8-V supply.

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