第一次将STM32嵌入式单片机应用到项目上，而且完全独立开发，首次接触嵌入式单片机，过程有点坎坷。此章手记，仅仅记录关于RTC硬件应用问题。 简练的描述此次项目设计验证中遇到的问题。设备经过数天的上下行参数设置、温补、三阶互调之后。设备送入老化箱进行高低温测试。问题出来了，进行低温老化的时候，当温度低于0℃时，设备如果重新上电，就无法启动。
起初怀疑HSE外部7.3728MHz晶振失振，于是阅读了官方AN2586应用笔记，根据Pierce振荡器的设计说明，重新计算了CL、RExt及振荡器的增益裕量。最终在官方推荐的范围被选定指标：CL1、CL2=20p,RExt=390Ω（经过一番计算，还是选用参考参数靠谱，毕竟经过验证的参数）。
调试过程中又出现原先芯片被搞坏现象，详细阅读了LSE相关说明后恍然大悟，烧芯片的不只是VBat，过大的gmcrit会导致内部振荡电路，其原因下文详细介绍。
对于STM32™的LSE部分，推荐使用CL < 7pF的晶振(译注：过大的CL会导致过大的gmcrit，从而无法保证足够的增益裕量)。需要注意的另一项，LSE尽量不要加限流电阻，原因下方有说明。
在应用手机最后一页结论有相关说明：对于振荡器是否能够起振来说，增益裕量是最重要的参数。在针对具体应用选择合适的晶振时，首先要计算增益裕量。第二个重要的参数是根据晶振制造商提供的数据，来选择外部负载电容，这决定了晶振频率的准确性。第三个重要的参数是外部限流电阻用以限制晶振的驱动级别。对于32kHz的振荡器来说，一般不推荐使用外部限流电阻(译注：因为LSE的常见问题是振荡器驱动能力不足而非晶振被过分驱动)。所以，32.768KHz最好不要串限流电阻。
电路修改完，复测完毕，丢进老化箱继续，好家伙，低温重启时又挂掉，这个时候，有点头大了，难道不只是硬件问题？开始检查RTC初始化程序，最大嫌疑是初始化函数中调用固件库“stm32f10x_rtc.c”中的void RTC_WaitForLastTask(void)
//此函数为等待最近一次对RTC寄存器的写操作完成。当外部晶振失振时，对RTC寄存器写操作时死在“while ((RTC->CRL & RTC_FLAG_RTOFF) == (uint16_t)RESET)语句中”如图所示：
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问题找到自然有办法解决了，哈！ |
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