功率半导体

只看该作者 · 2008-6-24 14:49

国家发改委已经明确支持。

只看该作者 · 2008-7-4 14:26

各位大虾说的很有道理，我们很容易看到的市场就是：电动自行车、电磁炉市场。但是价格竞争非常激烈。另外那些竞争不是很激烈的用途，用量又有限，所以我们在寻找合适的切入点。

我们可以做电压250v 以下，电流最大170A的mosfet。

我们现在寻找开关特性、输入电荷、开关损耗、100摄氏度150摄氏度条件下最大电流、短路承受时间、雪崩耐量等方面测试设备和测试单位。

请各位大虾指点！！！！！！
邮件：manaifeng@dkc.cn

2万 · 2008-7-4 15:06

测试设备不是很了解，但了解测试原理就可以想出一些有效的办法。

开关特性，用内阻很小，上下边沿很陡的驱动信号，用双踪示波器即可测出；
输入电荷，由Cgs、Cgd(on)、Cgd(off)、驱动电平、漏极电压共同决定，Cgs一般很小可忽略，Cgd(on)、Cgd(off)是硬指标；
开关损耗，主要由fr、tf决定；
100摄氏度150摄氏度条件下最大电流，主要由动态热阻决定；
短路承受时间，晶片热容量、封装瞬态热阻决定；
雪崩耐量，半导体掺杂浓度，这个非得有专用仪器了

2万 · 2008-7-5 15:21

打倒PI……

NND，太贵了，抢钱啊……

2万 · 2008-7-12 10:10

yewuyi 发表于 2008-7-5 15:21 技术交流 ←返回版面

25楼：呵呵，打倒IR

打倒PI……

NND，太贵了，抢钱啊……

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等达到IR的水平再谈打倒的事儿

研究功率型结型场效应，可能不错.

未来的电力电子变换，需要功率型双向开关

目前的VMOS及IGBT、MCT都不太适用，而GTO关断速度又太慢...