功率半导体

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pigjiang 发表于 2008-6-24 08:29 | 显示全部楼层

希望早日用上你们的管子,把IR赶出中国:-)

  
 楼主| manaifeng 发表于 2008-6-24 14:49 | 显示全部楼层

国家在大力支持

国家发改委已经明确支持。
 楼主| manaifeng 发表于 2008-7-4 14:26 | 显示全部楼层

低压大电流

<br />各位大虾说的很有道理,我们很容易看到的市场就是:电动自行车、电磁炉市场。但是价格竞争非常激烈。另外那些竞争不是很激烈的用途,用量又有限,所以我们在寻找合适的切入点。<br /><br />我们可以做电压250v&nbsp;以下,电流最大170A的mosfet。<br /><br />我们现在寻找开关特性、输入电荷、开关损耗、100摄氏度150摄氏度条件下最大电流、短路承受时间、雪崩耐量等方面测试设备和测试单位。<br /><br />请各位大虾指点!!!!!!<br />邮件:manaifeng@dkc.cn
PowerAnts 发表于 2008-7-4 15:06 | 显示全部楼层

关于测试

测试设备不是很了解,但了解测试原理就可以想出一些有效的办法。<br /><br />开关特性,用内阻很小,上下边沿很陡的驱动信号,用双踪示波器即可测出;<br />输入电荷,由Cgs、Cgd(on)、Cgd(off)、驱动电平、漏极电压共同决定,Cgs一般很小可忽略,Cgd(on)、Cgd(off)是硬指标;<br />开关损耗,主要由fr、tf决定;<br />100摄氏度150摄氏度条件下最大电流,主要由动态热阻决定;<br />短路承受时间,晶片热容量、封装瞬态热阻决定;<br />雪崩耐量,半导体掺杂浓度,这个非得有专用仪器了
yewuyi 发表于 2008-7-5 15:21 | 显示全部楼层

呵呵,打倒IR

打倒PI……<br /><br /><br /><br /><br />NND,太贵了,抢钱啊……
PowerAnts 发表于 2008-7-12 10:10 | 显示全部楼层

那是人家牛气的地方

yewuyi&nbsp;发表于&nbsp;2008-7-5&nbsp;15:21&nbsp;技术交流&nbsp;←返回版面&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;<br /><br />25楼:&nbsp;呵呵,打倒IR&nbsp;<br /><br />打倒PI……<br /><br />NND,太贵了,抢钱啊……<br />&nbsp;<br />===============================================================<br /><br />等达到IR的水平再谈打倒的事儿<br /><br /><br />研究功率型结型场效应,可能不错.<br /><br />未来的电力电子变换,需要功率型双向开关<br /><br />目前的VMOS及IGBT、MCT都不太适用,而GTO关断速度又太慢...&nbsp;<br />
PowerAnts 发表于 2008-7-12 10:15 | 显示全部楼层

老王说的极是

我在找无体二极管的MOSFET,找来找去只有结型小功率的
黄高峰 发表于 2008-7-12 21:42 | 显示全部楼层

做低开通电压(3V)高电流的

  
judge 发表于 2008-7-13 09:01 | 显示全部楼层

慢慢来

先把市场面的有量的,先抢过来做。&nbsp;有钱了再投入。&nbsp;先做点电动车的。<br />然后电磁炉的。产品线慢慢扩。&nbsp;抄IR产品线,就可以了。<br />良性循环,你有多少资本好撑啊。
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