N76E003读取间隙电压的精确计算值时，为什么还要条件选取

只看该作者 · 2019-4-25 17:32

N76E003读取间隙电压的精确计算值时，为什么还要条件选取，读两个rom的值？

例程如下：

void READ_BANDGAP()
{
UINT8 BandgapHigh,BandgapLow,BandgapMark;
double Bandgap_Value,Bandgap_Voltage_Temp;

set_IAPEN;
IAPCN = READ_UID;
IAPAL = 0x0d;
IAPAH = 0x00;
set_IAPGO;
BandgapLow = IAPFD;
BandgapMark = BandgapLow&0xF0;

if (BandgapMark==0x80)
{
BandgapLow = BandgapLow&0x0F;
IAPAL = 0x0C;
IAPAH = 0x00;
set_IAPGO;
BandgapHigh = IAPFD;
Bandgap_Value = (BandgapHigh<<4)+BandgapLow;
Bandgap_Voltage_Temp = Bandgap_Value*3/4;
Bandgap_Voltage = Bandgap_Voltage_Temp - 33; //the actually banggap voltage value is similar this value.
}
if (BandgapMark==0x00)
{
BandgapLow = BandgapLow&0x0F;
IAPAL = 0x0C;
IAPAH = 0x00;
set_IAPGO;
BandgapHigh = IAPFD;
Bandgap_Value = (BandgapHigh<<4)+BandgapLow;
Bandgap_Voltage= Bandgap_Value*3/4;
}
if (BandgapMark==0x90)
{
IAPAL = 0x0E;
IAPAH = 0x00;
set_IAPGO;
BandgapHigh = IAPFD;
IAPAL = 0x0F;
IAPAH = 0x00;
set_IAPGO;
BandgapLow = IAPFD;
BandgapLow = BandgapLow&0x0F;
Bandgap_Value = (BandgapHigh<<4)+BandgapLow;
Bandgap_Voltage= Bandgap_Value*3/4;
}
clr_IAPEN;
// printf ("\n BG High = %bX",BandgapHigh);
// printf ("\n BG Low = %bX",BandgapLow);
// printf ("\n BG ROMMAP = %e",Bandgap_Voltage);
}

只看该作者 · 2019-4-25 18:00

1万 · 2019-4-25 20:25

手册有没有提到这个读取的寄存器功能。

只看该作者 · 2019-4-25 21:49

BandgapLow = IAPFD;
BandgapMark = BandgapLow&0xF0;
关注这个地方，IAPFD的作用。

只看该作者 · 2019-4-25 21:58

通过设置IAPEN（CHPCON.0受TA保护）使能IAP，并且设置IAPUEN寄存器的相应位，使能需要升级的FLASH区域（CONFIG、LDROM、APROM），用户将16位操作地址写入IAPAH和IAPAL，数据写入IAPFD，命令写入IAPCN。

只看该作者 · 2019-4-25 21:58

AP 内存数据
该字节包含将要读或写进内存空间的数据。编程模式下，用户需要在触发IAP之前写数据到IAPFD里，读/校验模式下，在IAP完成后从IAPFD读出数据。

只看该作者 · 2019-4-25 21:59

1万 · 2019-4-25 23:42

常温下，所有N76E003的Band-gap电压值会校准在1.17V ~ 1.27 V内。如果想要知道每颗N76E003的
Band-gap实际电压值，可以通过读取UID地址后的2个bytes值来确认。UID 后的2个bytes储存Band-gap
的实际值，总共12个有效bit。第一个byte是高8位，第二个byte的低4位为12 bit的低4位。

1万 · 2019-4-25 23:43

仔细看手册啊，是为了读取UID后的2个字节。

1万 · 2019-4-25 23:52

手册中没这么复杂

复制

void READ_BANDGAP()

{

UINT8 BandgapHigh,BandgapLow;

Set_IAPEN; // Enable IAPEN

IAPAL = 0x0C;

IAPAH = 0x00;

IAPCN = 0x04;

set_IAPGO; // Trig set IAPGO

BandgapHigh = IAPFD;

IAPAL = 0x0d;

IAPAH = 0x00;

IAPCN = 0x04;

set_IAPGO; // Trig set IAPGO

BandgapLow = IAPFD;

BandgapLow = BandgapLow&0x0F;

Clr_IAPEN; // Disable IAPEN

Bandgap_Value = (BandgapHigh<<4)+BandgapLow;

Bandgap_Voltage = 3072/(0x1000/Bandgap_Value);

只看该作者 · 2019-4-26 19:23

一起学习了

只看该作者 · 2019-4-27 17:16

几位坛友，你们好。

我不是问怎么读那两个数出来，

而是想问：厂家给的库例程里，为什么要作条件判断，就是一楼贴出来的程序里红色的地方。

不同的“BandgapMark“，作了不同的转移的。

特别是最后一个条件里，是从下两件地址里读数据出来的了。

只看该作者 · 2019-5-16 17:49

我也遇到了这个问题
手册里并没有 BandgapMark 这个标记的描述说明
据我猜测应该是 N76E003 部分批次芯片
在出厂录入Bandgap测量值时存在数值异常
然后通过 UID 中加入 BandgapMark 进行区分处理

只看该作者 · 2019-5-16 18:07

allen1311885 发表于 2019-5-16 17:49
我也遇到了这个问题
手册里并没有 BandgapMark 这个标记的描述说明
据我猜测应该是 N76E003 部分批次芯片

别去折腾这个了，我用官方的最新DEMO程序测试过，反推电源VCC，波动到2%以上，没有任何实用意义。
测试条件：芯片锂电池供电，什么都不干，只做这个，而且，该Band-gap电压测试过程，只能测试5次，扔2次，测试超过该数据比如测试8次扔2次/6结果完全不一样，越测试次数多，数据越小。
反过来，用TL431，直接做一个2.5V基准，用N76E003来测量该基准反推VCC，由于可以任意多次测量平均，精度可以到1‰+。
说明该Band-gap没任何实际意义。

只看该作者 · 2019-5-16 22:30

tianxj01 发表于 2019-5-16 18:07
别去折腾这个了，我用官方的最新DEMO程序测试过，反推电源VCC，波动到2%以上，没有任何实用意义。
测试条 ...

是的，之前通过电源VCC反推Band-gap实际值和用demo读取的Band-gap数值相差很大，Band-gap实际值约1.21V，demo读取的Band-gap值才1.18V，怀疑出厂校验的Bang-gap值是不准。

只看该作者 · 2019-5-17 00:16

原来如此，这般。

只看该作者 · 2019-5-17 08:08

rawo 发表于 2019-5-16 22:30
是的，之前通过电源VCC反推Band-gap实际值和用demo读取的Band-gap数值相差很大，Band-gap实际值约1.21V， ...

出厂检验，应该有方法，比如芯片供电是严格的3.3V校准电压，直读就可以了。
让人非常疑惑的是，Band-gap不能连续多次反复读，如果这样的话，数值就会越读越小。
怀疑芯片设计为了功耗什么考虑，用了某些方法，使得Band-gap只能被使用几次，多次的话，就掉数值。而且就因为这样的原因，导致Band-gap在实际使用中，波动达2%左右。
对于发生数据抖动，最常见的方法是多次平均，一旦这个方法失效，这Band-gap也就没卵用了。