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[电子元器件]

求教MOS管控制问题（电源电压被瞬间拉低）

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楼主: sherwin
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21楼
sherwin|  楼主 | 2019-5-13 17:43 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
tianxj01 发表于 2019-5-13 16:48
客户不同意PWM，那么就用MOS管启动斜坡来解决，R9换成合适的电容，比如100n，R8加大到100K，时间就达到数10 ...

谢谢建议！

问题是，5～10mS内的PWM软启动，做不到啊。之前为了降低功耗，已经把MCU的主频，调到了最小（7.8KHz），也即一条指令都要0.128mS。

又碰上写软件的同事，只会写C，不会写汇编，做出一个脉冲基本都要1～2mS，还PWM个屁啊。。。。。。

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22楼
tianxj01| | 2019-5-13 17:48 | 只看该作者
sherwin 发表于 2019-5-13 17:43
谢谢建议！

问题是，5～10mS内的PWM软启动，做不到啊。之前为了降低功耗，已经把MCU的主频，调到了最小 ...

2个方法，一般单片机，主频都是可以随时变化的，启动时间段，修改主频到最快，启动完成后，再修改回7.8K。反正都启动电机了，这短短的10mS，功耗不敏感吧？这样也许可以实现10mS内几10渐进个变化的PWM波形吧？这个用C应该可以实现。
还是做不到，那真的就只有让MOS管增加栅极电容增加栅极驱动电阻，进行栅极软爬坡，实现模拟意义上的软导通，反正10mS时间，肯定不会整死MOS管。

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23楼
sherwin|  楼主 | 2019-5-13 18:55 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2019-5-13 17:48
2个方法，一般单片机，主频都是可以随时变化的，启动时间段，修改主频到最快，启动完成后，再修改回7.8K。 ...

嗯，第一个办法是肯定行不通的了，这种低端的MCU，主频都是在option区域设置的，烧录的时候就已经设置死了，改不了了。  


第二个办法也许可行，我先试试再说吧。非常感谢！

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24楼
gmchen| | 2019-5-13 19:29 | 只看该作者
本帖最后由 gmchen 于 2019-5-13 19:36 编辑

23楼的办法不错！

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25楼
Diyer123| | 2019-5-13 20:29 | 只看该作者
VBAT——>肖特基——>超低静态电流的boost升压芯片——>MCU

如果还有超低成本要求，那就只能多串联一节电池（电池是用户买单），然后vbat跟MCU之间串联肖特基

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26楼
shalixi| | 2019-5-13 20:34 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2019-5-13 17:48
2个方法，一般单片机，主频都是可以随时变化的，启动时间段，修改主频到最快，启动完成后，再修改回7.8K。 ...

修改主频，不会改变主回路电流，弹片机的处境未变。栅极软爬坡,启动功耗大，不适于频繁启动。PWM，启动功耗也不会小。把MCU 的电源隔离出来是最省事的办法，只把R7换成二极管。

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27楼
coody| | 2019-5-13 22:13 | 只看该作者
用PWM软启动

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28楼
sherwin|  楼主 | 2019-5-14 12:48 | 只看该作者
Diyer123 发表于 2019-5-13 20:29
VBAT——>肖特基——>超低静态电流的boost升压芯片——>MCU

如果还有超低成本要求，那就只能多串联一节电 ...

多串一节电池也不行，不仅仅是成本问题，而是模具已经做死了，只能放两节电池，不能再放更多了。  

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29楼
sherwin|  楼主 | 2019-5-14 12:51 | 只看该作者
shalixi 发表于 2019-5-13 20:34
修改主频，不会改变主回路电流，弹片机的处境未变。栅极软爬坡,启动功耗大，不适于频繁启动。PWM，启动功 ...

修改主频肯定会影响整机的电流消耗的，这是实测的结果。至少MCU本身的功耗就会增大很多。

虽然实际上只是几十uA的差别，但是须知客户是互联网公司，出了名的“要榨干每一滴资源”——注意，是以“滴”为单位的哦。。。。。。。。所以没办法，这个主频不能改。

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30楼
shalixi| | 2019-5-14 13:05 | 只看该作者
sherwin 发表于 2019-5-14 12:51
修改主频肯定会影响整机的电流消耗的，这是实测的结果。至少MCU本身的功耗就会增大很多。

虽然实际上只 ...

我是说，其他方法都不好。只把R7换成肖特基二极管，你试过没有？

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31楼
sherwin|  楼主 | 2019-5-14 13:19 | 只看该作者
shalixi 发表于 2019-5-14 13:05
我是说，其他方法都不好。只把R7换成肖特基二极管，你试过没有？

试过了，详情请看我在5楼的描述。

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32楼
lihui567| | 2019-5-14 13:33 | 只看该作者
你的小电机正常工作电流不大，但是瞬间启动的话就大了，电池电压下降也是正常的

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33楼
lihui567| | 2019-5-14 13:44 | 只看该作者
sherwin 发表于 2019-5-14 12:51
修改主频肯定会影响整机的电流消耗的，这是实测的结果。至少MCU本身的功耗就会增大很多。

虽然实际上只 ...

其实不建议MCU供电和电机供电是一个，单独分开是最好的，单片机肯定要稳压一下

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34楼
shalixi| | 2019-5-14 16:33 | 只看该作者
本帖最后由 shalixi 于 2019-5-14 16:37 编辑
sherwin 发表于 2019-5-14 13:19
试过了，详情请看我在5楼的描述。

这个问题我以前的产品中碰到过，几个电机都20多W，频繁启动，用24V。MCU是51的，电源用电机的24V,DC-DC为5V，51前加个二极管隔离，就解决了电机一启动51就复位的问题。你的问题，可能电机启动时，除了电压跌落外，还有其他干扰。复位部分查查。

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35楼
QuakeGod| | 2019-5-14 21:48 | 只看该作者
你那个电池电压那么低，完全可以用5V耐压的电容。
5V耐压220uF的电容体积是很小的。

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36楼
xiaxingxing| | 2019-5-14 22:26 | 只看该作者
xch 发表于 2019-5-13 09:45
C1 应该改小。1nF 即可。  二极管D2已经保护了MOSFET，电容只是通过EMC用。

用100nF 会让电源瞬间跌落一半 ...

为什么C1用100nF 会让电源瞬间跌落一半呢？这个理解不了，电容越大，不是越能平滑电压吗（即电容两端电压变化越慢）。。。谢谢！

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37楼
xch| | 2019-5-14 22:51 | 只看该作者
xiaxingxing 发表于 2019-5-14 22:26
为什么C1用100nF 会让电源瞬间跌落一半呢？这个理解不了，电容越大，不是越能平滑电压吗（即电容两端电压 ...

它初始两端电压是0. 你说的不变就相当于短路。
并非好事

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38楼
shizaigaole| | 2019-5-15 15:20 | 只看该作者
用一个升压芯片，单独给单片机供电。
这样的话，电池电压短时间掉下来，就不怕了。

TI的很多芯片，工作电压很低的

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39楼
sherwin|  楼主 | 2019-5-15 15:21 | 只看该作者
shizaigaole 发表于 2019-5-15 15:20
用一个升压芯片，单独给单片机供电。
这样的话，电池电压短时间掉下来，就不怕了。

增加成本太多了。还不如加肖特基二极管简单呢。

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40楼
shizaigaole| | 2019-5-16 14:57 | 只看该作者
BAT+到单片机VDD，用肖特基二极管,C2适当加大，

发出启动电机命令后，单片机立即休眠几十ms，躲过尖峰。

由于现在的单片机一般休眠电流很小，所以电容C2，应该不需要很大。

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