单片机IO怎么检测外部输入的（9~30V）高电压？

发表于 2019-6-5 14:06

此图，Vr7=0.7,光耦压降取1.1V。最恶劣情况Vce_q3=30-0.7-1.1=28V. Ic_q3=0.7/100=0.007A，功耗Pmax_q3=28*0.007=0.2W
注意此三极管功耗

发表于 2019-6-5 15:46

xch 发表于 2019-6-5 13:10

这个图按要求<5V,>9v的区分，把R5/R6/U2去掉，R8/R4合成一个，在光耦上串个6.3的稳压管是不是也可以；

发表于 2019-6-5 16:25

xch 发表于 2019-6-5 13:10

有点复杂，老师能否讲讲怎么工作过程？

发表于 2019-6-5 16:49

lyzjhzdz 发表于 2019-6-5 16:25
有点复杂，老师能否讲讲怎么工作过程？

你先说说看你是怎么理解的。别像女生一样，什么都靠教。
我可不想当啥老师，“老”师说明后继无人，老了还在教。

发表于 2019-6-5 17:28

lyzjhzdz 发表于 2019-6-5 10:44
领导是这样说的输入9~30V IO 检测认为高电平，低于5V 认为低，中间不理睬。这好难理解啊？我直接把低于9 ...

假设公差（要求）都是5%：

输入电压：0～30V±5%
上升沿阈值：9V±5%（输出检测到高电平）
下降沿阈值：5V±5%（输出检测到低电平）

发表于 2019-6-5 19:54

现在进入话题，施密特触发器。

发表于 2019-6-5 22:45

学习学习

发表于 2019-6-6 10:41

变化频率不是很快的话，可以考虑低温漂电阻分压+AD采样。

发表于 2019-6-6 11:05

奋斗小范发表于 2019-6-6 10:41
变化频率不是很快的话，可以考虑低温漂电阻分压+AD采样。

这个方法不错，成本低。

发表于 2019-6-6 11:22

xch 发表于 2019-6-5 13:10

大佬的电路是不是可以这样理解，电压高于9V的时候，TL431导通，此时Q4导通，光耦导通，此时MCU监测低电平；电压低于9V的时候，TL431不导通，此时Q4不导通，光耦不导通，MCU检测高电平；不过大佬的这个Q3是什么意思，Q3与Q4组成了什么电路

，这个不理解呢。。。

发表于 2019-6-6 11:26

wangchuanwei 发表于 2019-6-6 11:22
大佬的电路是不是可以这样理解，电压高于9V的时候，TL431导通，此时Q4导通，光耦导通，此时MCU监测低电平 ...

Q3,Q4 组成恒流源。Q3输出电流Ic在大多数情况下比较稳定。

发表于 2019-6-6 11:35

xch 发表于 2019-6-6 11:26
Q3,Q4 组成恒流源。Q3输出电流Ic在大多数情况下比较稳定。

大佬，多问一句，这个电路去掉Q4是不是也能满足要求

发表于 2019-6-6 15:41

wangchuanwei 发表于 2019-6-6 11:35
大佬，多问一句，这个电路去掉Q4是不是也能满足要求

不满足。可能烧了某些器件

登录 · 发表于 2019-6-6 15:56

精度要求不高，又要便宜：

发表于 2019-6-6 18:01

lyzjhzdz 发表于 2019-6-5 10:44
领导是这样说的输入9~30V IO 检测认为高电平，低于5V 认为低，中间不理睬。这好难理解啊？我直接把低于9 ...

你的理解不准确。应作设计要求：
1.电平上升至8.5Ⅴ可靠“高”动作；
2.电平下降至5.5V可靠“低”动作；
3.过载高电平最大35Ⅴ。

各阶段各测试电平分别取8.0/6.0/40Ⅴ。

发表于 2019-6-6 18:06

这么复杂，按7V为转折电压不可以吗？

登录 · 发表于 2019-6-6 19:01

发表于 2019-6-9 09:13

你需要隔离采样芯片，

登录 · 发表于 2019-6-9 10:00

先将外部信号小于9V转为负电平，大于9V为正电平，然后让光耦识别。

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