MOS管低压驱动问题

登录 · 发表于 2019-7-17 21:52

PWM的电压是3.3V，MOS管当开关使用，输入电压为24V，请问这样的MOS管驱动电路会有什么问题么？
目前测试时可行的，不知是否存在什么隐患，谢谢啦

发表于 2019-7-17 22:20

mos管的vgs一般都是20V左右。
取80%降额，为16V。R21适当降低。R21取20k为16V。R21取10k为12V。这样安全些。
mos管的vce，你的选型为75V。
看你的用途是用于加热，如电阻由线圈结构，或接线很长，还需要考虑大电流时的感性，击穿vce。mos管的vce并一个tvs。

登录 · 发表于 2019-7-18 08:12

网上有很多这种mos驱动电路，既然一个mos就可以驱动，用多个三极管的好处是什么呢

发表于 2019-7-18 08:21

lotus_1984 发表于 2019-7-18 08:12
网上有很多这种mos驱动电路，既然一个mos就可以驱动，用多个三极管的好处是什么呢

...

用推完驱动的主要原因是MOSFET的米勒效应，只有在瞬间给栅极一个大电流，电容才会瞬间充满，mosfet才能更快的进入饱和区，降低开关损耗，如果mosfet开关频率不高的话，可以不采用推完驱动的方式

发表于 2019-7-18 08:35

你这个电路只是驱动加热器而已，不需要这么复杂的。
你这个电路，PWM高，关闭输出，PWM低，加热输出，可能MCU复位或者其它异常，一直加热输出。栅极驱动电压也过高，反应速度也慢。
对于加热电源也是24V的，可以选择低阀值的NMOS，很多型号的，3.3V逻辑电平可以直接驱动，简单，可靠。

发表于 2019-7-18 10:08

简单开关，速度慢点就这样直接驱动完全不是问题，注意栅极电压别太高，R21换小点比如直接10K就成，这样栅极也就是12V。
如果是PWM，则需要进行电压放大然后互补或者图腾柱驱动，以提供合理的开关速度，否则PWM波形将严重变形甚至变成直流控制。

[电路/定理] MOS管低压驱动问题