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[电路/定理]

MOS管低压驱动问题

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叶春勇| | 2019-7-17 22:20 | 只看该作者
mos管的vgs一般都是20V左右。
取80%降额,为16V。R21适当降低。R21取20k为16V。R21取10k为12V。这样安全些。
mos管的vce,你的选型为75V。
看你的用途是用于加热,如电阻由线圈结构,或接线很长,还需要考虑大电流时的感性,击穿vce。mos管的vce并一个tvs。

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lotus_1984|  楼主 | 2019-7-18 08:12 | 只看该作者





网上有很多这种mos驱动电路,既然一个mos就可以驱动,用多个三极管的好处是什么呢

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yes19891989| | 2019-7-18 08:21 | 只看该作者
lotus_1984 发表于 2019-7-18 08:12
网上有很多这种mos驱动电路,既然一个mos就可以驱动,用多个三极管的好处是什么呢

...

用推完驱动的主要原因是MOSFET的米勒效应,只有在瞬间给栅极一个大电流,电容才会瞬间充满,mosfet才能更快的进入饱和区,降低开关损耗,如果mosfet开关频率不高的话,可以不采用推完驱动的方式

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lotus_1984 2019-7-18 09:16 回复TA
谢谢! 
5
gx_huang| | 2019-7-18 08:35 | 只看该作者
你这个电路只是驱动加热器而已,不需要这么复杂的。
你这个电路,PWM高,关闭输出,PWM低,加热输出,可能MCU复位或者其它异常,一直加热输出。栅极驱动电压也过高,反应速度也慢。
对于加热电源也是24V的,可以选择低阀值的NMOS,很多型号的,3.3V逻辑电平可以直接驱动,简单,可靠。

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tianxj01| | 2019-7-18 10:08 | 只看该作者
简单开关,速度慢点就这样直接驱动完全不是问题,注意栅极电压别太高,R21换小点比如直接10K就成,这样栅极也就是12V。
如果是PWM,则需要进行电压放大然后互补或者图腾柱驱动,以提供合理的开关速度,否则PWM波形将严重变形甚至变成直流控制。

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