打印

flash属于rom吗?

[复制链接]
2888|10
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
niufen556|  楼主 | 2019-9-16 12:34 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
niufen556|  楼主 | 2019-9-16 12:37 | 只看该作者
是从什么角度来说它属于rom的

使用特权

评论回复
板凳
computer00| | 2019-9-16 20:40 | 只看该作者
那要看是什么接口的,例如像并行接口那种NOR FLASH,就是ROM。
如果是SPI NOR FLASH,NAND FLASH等算是外设(IO设备),都不能算是真正意义上的存储器,所以不能算ROM。
如果要算,也只能是ROM。
像硬盘、CD-ROM、CD-RW等这些都只能算外设,不能算存储器。

使用特权

评论回复
地板
chunyang| | 2019-9-16 21:52 | 只看该作者
如果只看器件本身,从历史的沿革轨迹看,当然是。
在计算机系统中,当年半导体存储器分只读存储器ROM和随机存取存储器RAM两类。ROM中的数据是掉电非易失的,最早采用掩膜工艺制造,做出来是什么数据就是什么数据,不可更改。后来出现了PROM,采用烧断“熔丝”的办法来编程,但只能编程一次。PROM依然是一种ROM,字面上就如此。再后来出现了可重复编程的EPROM,用紫外线来擦除原有数据。同样的,EPROM也是一种ROM。之后,又出现了电可擦除可重复编程的EEPROM,依然是一种ROM。1988年,Intel发明了一种可快速编程的EEPROM,为了便于市场推广,特意将其命名为Flash EEPROM,后来简称Flash,这就是Flash的由来。可见从器件的角度讲,Flash天生就是ROM芯片的一种。甚至,以逻辑原则,在数学上可以这么认为:Flash集合、EEPROM集合、EPROM集合、PROM集合、ROM集合间的关系,前者均是后者的真子集。关于这个问题,其实在多年前本栏目曾发生过一场争论,有个网友不愿接受我的前述说法,而且口出恶言,甚至在我拿出世界上第一款Flash芯片的原文器件手册,上面清清楚楚的写着Flash EEPROM的字样也愿不承认……
不过,随着半导体掉电非易失存储技术的发展,原本设计用于ROM的芯片可以用作其它,所以,具体的区分需要进一步考虑语境、具体电路等等。并且可以预见,将来存储器很可能归一化,即高速读写和掉电非易失、廉价单位容量等可以同时实现,那么从器件的角度再去区分什么ROM、RAM就将失去意义了。

使用特权

评论回复
5
niufen556|  楼主 | 2019-9-18 09:03 | 只看该作者
chunyang 发表于 2019-9-16 21:52
如果只看器件本身,从历史的沿革轨迹看,当然是。
在计算机系统中,当年半导体存储器分只读存储器ROM和随机 ...

非常感谢,就是找的这种回答,说出了本质,不像其他人在百度上复制。但我好奇的是EEPROM和FIASH既然能在线“写”了那再往里存放程序时会不会不安全

使用特权

评论回复
6
niufen556|  楼主 | 2019-9-18 09:49 | 只看该作者
像BIOS用FLASH存储,或程序也用FLASH存储会不会不安全,它都可以在线电子擦除了改写了

使用特权

评论回复
7
tyw| | 2019-9-18 13:13 | 只看该作者
niufen556 发表于 2019-9-18 09:49
像BIOS用FLASH存储,或程序也用FLASH存储会不会不安全,它都可以在线电子擦除了改写了 ...

把wp写保护拉高,平时禁止写入,就安全了

使用特权

评论回复
8
niufen556|  楼主 | 2019-9-18 16:20 | 只看该作者
tyw 发表于 2019-9-18 13:13
把wp写保护拉高,平时禁止写入,就安全了

意思是把写入时的电压提高?

使用特权

评论回复
评论
tyw 2019-9-18 17:43 回复TA
wp脚接地时,允许写入,接高电平时,禁止写入. 
9
chunyang| | 2019-9-24 23:14 | 只看该作者
niufen556 发表于 2019-9-18 09:03
非常感谢,就是找的这种回答,说出了本质,不像其他人在百度上复制。但我好奇的是EEPROM和FIASH既然能在 ...

只要可写,理论上就存在写错或者非受控的写入等情况,自然天然存在安全问题。但安全性和方便性要有所取舍,显然绝大多数时候,方便性更为重要。

使用特权

评论回复
10
tianxj01| | 2019-9-25 09:40 | 只看该作者
本帖最后由 tianxj01 于 2019-9-25 09:44 编辑

何必拘泥于到底属什么呢?
你要说它只是狭义的ROM,则分明是可以多次改写,你要说是狭义RAM吧,则对于高速应用显然是不行的,而且和典型RAM比较,则很显然其有改写次数限制,关键是失电数据是可以保存的。
我就从来不去迷惑这些对应用没有什么帮助的分类冲突,毕竟,相对于ROM RAM最原始的定义,FLASH器件出来要晚得多,产生定义冲突是很正常的,正因为如此,所以那些传统的定义也在不断的被时代刷新。反正要我说,就应该明确一个新的定义,就是FLASH来单独定义一个存储器分类才最为妥当,既不属于A,也不属于B,它可能和A有部分相似,又和B有部分重叠,但它就是C。
实际上,我们真正需要的,是知道我要什么,然后是我怎么用。什么时候,用FLASH什么时候用EEPROM、什么时候用OTP;又什么时候需要用扩展高速RAM或者内部大容量RAM。知道这些,然后就是知道它们都又是怎么使用的。

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

17

主题

117

帖子

1

粉丝