晶振的匹配电容的主要作用是匹配晶振和振荡电路，使电路易于启振并处于合理的激励态下，对频率也有一定的“微调”作用。对MCU，正确选择晶振的匹配电容，关键是微调晶体的激励状态，避免过激励或欠激励，前者使晶体容易老化影响使用寿命并导致振荡电路EMC特性变劣，而后者则不易启振，工作亦不稳定，所以正确地选择晶体匹配电容是很重要的。
这里请注意P1于电容的匹配符合于p1=c1*c2/c1+c2+p2【这里的 P2是一般是3~5p的一个值】选择的电容的值越大单片机的耗电能力也就越强。而且易造成不起振的情况
另外32768K的晶振接地的时候一定要注意了不要直接用烙铁点锡在壳上，高温会是晶振内部的晶片焊点融化造成晶片倾斜碰壳而停振的。之前我们供一家日本企业是就出了这个问题，后面使用激光透视查看点锡时晶振的变化看到了。一般现在都采用在晶振管脚上加铜线固定在板上来屏蔽信号。
以上仅个人的客服经验，希望能相互交流下 Q512373609 13410280734 。
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